[实用新型]用于存储器电路的电子电路有效

专利信息
申请号: 201620805475.2 申请日: 2016-07-27
公开(公告)号: CN206148136U 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: F·拉罗萨;A·康特 申请(专利权)人: 意法半导体(鲁塞)公司;意法半导体股份有限公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06;G11C7/08
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 王茂华
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 存储器 电路 电子电路
【说明书】:

技术领域

本公开涉及存储器电路领域,并且更特别地涉及用于能够补偿电压偏移的电路的动态感测放大器。

背景技术

当今广泛地使用各种电子设备,诸如膝上型计算机、智能电话和平板计算机。这样的电子设备通常包括微处理器、用于由微处理器在执行应用软件时使用的易失性存储装置、以及用于长期存储应用和数据的非易失性存储装置。

在这样的非易失性或易失性存储器设备中使用感测放大器,以使得减小其位线上的电压摆幅。在各种感测放大器配置中,在非易失性存储器电路中使用交叉耦合式感测放大器。已知的交叉耦合式感测放大器包括“交叉耦合”在一对位线之间的一对反相器。每个反相器的输入连接至一个位线并且其输出连接至另一位线。交叉耦合式感测放大器提供快速信号放大。然而,实际上,很难提供具有完美匹配的晶体管的一对反相器。晶体管特性的失配例如可能在重置期间在反相器的输出的两端产生偏移电压。这一偏移被反映到反相器的输入。在特别不幸的场景中,被反映的偏移可能被检测为表示数据比特的信号,因此产生数据误差。这样的数据误差非常不期望,因为它们可能负面地影响电子设备的性能。

实用新型内容

因此,需要新的感测放大器的开发,其降低了对晶体管特性的失配和偏移的灵敏度但仍然维持交叉耦合式感测放大器的快速响应。

本实用新型内容部分被提供用于介绍下面在详细描述部分进一步描述的概念的选择。本实用新型内容部分并非意图识别要求保护的主题的关键或重要特征,也并非意图用于帮助限制要求保护的主题的范围。

第一方面涉及一种电子电路,包括:具有交叉耦合布置的第一反相器和第二反相器;以及补偿电路装置,被配置成分别根据第一位线信号和第二位线信号控制第一反相器和第二反相器的供电。

在一些实施例中,补偿电路装置包括:将第一位线信号耦合至第一反相器的供电端子的第一电容器;以及将第二位线信号耦合至第二反相器的供电端子的第二电容器。

在一些实施例中,第一反相器的供电端子包括高电压供电端子;以及其中第二反相器的供电端子包括高电压供电端子。

在一些实施例中,第一反相器的高电压供电端子包括第一反相器的PMOS晶体管的源极节点;以及其中第二反相器的高电压供电端子包括第二反相器的PMOS晶体管的源极节点。

在一些实施例中,第一反相器的供电端子包括低电压供电端子;以及其中第二反相器的供电端子包括低电压供电端子。

在一些实施例中,第一反相器的低电压供电端子包括第一反相器的NMOS晶体管;以及其中第二反相器的低电压供电端子包括第二反相器的NMOS晶体管。

在一些实施例中,补偿电路装置包括:将第一位线信号分别耦合至第一反相器的第一供电端子和第一反相器的第二供电端子的第一电容器和第二电容器;以及将第二位线信号分别耦合至第二反相器的第一供电端子和第二反相器的第二供电端子的第三电容器和第四电容器。

在一些实施例中,补偿电路装置还包括:第一开关,被配置用于在预充电模式中时短接第一反相器的输入和输出并且在感测模式中时去耦合第一反相器的输入和输出;以及第二开关,被配置用于在预充电模式中时短接第二反相器的输入和输出并且在感测模式中时去耦合第二反相器的输入和输出。

在一些实施例中,电子电路还包括被配置成对第一位线信号和第二位线信号预充电的第一预充电电路和第二预充电电路。

在一些实施例中,电子电路还包括耦合在第二反相器的输出与第一反相器的输入之间的第一滤波电容器、以及耦合在第一反相器的输出与第二反相器的输入之间的第二滤波电容器。

第二方面涉及一种电子电路,包括:第一反相器和第二反相器,具有交叉耦合布置并且均具有第一供电端子和第二供电端子;第一供电部件和第二供电部件的第一集合,耦合至第一反相器的第一供电端子和第二供电端子;第一供电部件和第二供电部件的第二集合,耦合至第二反相器的第一供电端子和第二供电端子;第一位线,电容性地耦合至在第一集合的第一供电部件与第一反相器的第一供电端子之间的第一节点;第二位线,电容性地耦合至在第二集合的第一供电部件与第二反相器的第一供电端子之间的第二节点;第一开关,耦合在第一反相器的输入与输出之间;以及第二开关,耦合在第二反相器的输入与输出之间。

在一些实施例中,第一位线还电容性地耦合至在第一集合的第二供电部件与第一反相器的第二供电端子之间的第三节点。

在一些实施例中,第二位线还电容性地耦合至在第二集合的第二供电部件与第二反相器的第二供电端子之间的第四节点。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(鲁塞)公司;意法半导体股份有限公司,未经意法半导体(鲁塞)公司;意法半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201620805475.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top