[实用新型]多孔氮化硅支撑膜窗格及其用于透射电镜成像的装置有效
申请号: | 201620771104.7 | 申请日: | 2016-07-20 |
公开(公告)号: | CN206163454U | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 谷林;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01J37/20 | 分类号: | H01J37/20 |
代理公司: | 北京市英智伟诚知识产权代理事务所(普通合伙)11521 | 代理人: | 刘丹妮 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多孔 氮化 支撑 膜窗格 及其 用于 透射 成像 装置 | ||
1.一种多孔氮化硅支撑膜窗格,其特征在于,所述多孔氮化硅支撑膜窗格包括:衬底,覆盖在所述衬底一面的正面氮化硅,覆盖在所述衬底另一面的背面氮化硅和贯穿所述衬底与背面氮化硅的窗口;
其中,所述正面氮化硅具有多个贯通孔,所述贯通孔的孔径为20nm~370nm。
2.根据权利要求1所述的多孔氮化硅支撑膜窗格,其特征在于,所述衬底为双抛硅片;和/或
所述正面氮化硅、背面氮化硅和衬底的水平尺寸和形状相同。
3.根据权利要求1或2所述的多孔氮化硅支撑膜窗格,其特征在于,所述衬底的厚度为50μm~300μm。
4.根据权利要求3所述的多孔氮化硅支撑膜窗格,其特征在于,所述衬底的厚度为200μm。
5.根据权利要求1或2所述的多孔氮化硅支撑膜窗格,其特征在于,所述正面氮化硅和背面氮化硅的厚度各自独立地为40nm~200nm。
6.根据权利要求5所述的多孔氮化硅支撑膜窗格,其特征在于,所述正面氮化硅和背面氮化硅的厚度各自独立地为50nm。
7.根据权利要求1或2所述的多孔氮化硅支撑膜窗格,其特征在于,所述贯通孔的孔径为300nm。
8.根据权利要求1或2所述的多孔氮化硅支撑膜窗格,其特征在于,所述贯通孔的孔间距为65nm~450nm。
9.根据权利要求8所述的多孔氮化硅支撑膜窗格,其特征在于,所述贯通孔的孔间距为450nm。
10.一种用于透射电镜成像的装置,其特征在于,所述装置包括:权利要求1至9中任一项所述的多孔氮化硅支撑膜窗格。
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