[实用新型]微机电器件有效
| 申请号： | 201620518104.6 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN206126836U | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | L·巴尔多;E·杜奇;F·F·维拉 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,董典红 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微机 器件 | ||
1.一种微机电器件，其特征在于，包括：
半导体材料的单块本体(107；210)，具有第一面(107A；120A)和第二面(107B)；
第一掩埋腔(106)，位于半导体材料的所述单块本体中；
感应区域(112；135)，在所述单块本体中位于所述第一掩埋腔上方；
第二腔(109；125)，掩埋在所述感应区域中；以及
去耦合沟槽(111)，从所述单块本体(107；120)的所述第一面(107A；120A)延伸远至所述第一掩埋腔(106)，并且在横向上环绕第二掩埋腔(109；125)，所述去耦合沟槽(111)将所述感应区域(112；135)与所述单块本体的外围部分(104；137)分离。
2.根据权利要求1所述的微机电器件，其特征在于，所述感应区域(112)包括覆盖在所述第一掩埋腔(106)上面的厚区域(114)，所述第二掩埋腔(109)被布置在所述厚区域(114)内，并且所述厚区域形成被布置在所述第二掩埋腔与所述第一面(107A)之间的隔膜(110)。
3.根据权利要求2所述的微机电器件，其特征在于，所述隔膜(110)容纳电子部件(121)。
4.根据权利要求1所述的微机电器件，其特征在于，所述感应区域(135)包括覆盖在所述第一掩埋腔(106)上面的厚区域(108)以及被布置在所述厚区域(108)之上的结构层(131)，所述第二腔被布置在所述厚区域与所述结构层之间。
5.根据权利要求4所述的微机电器件，其特征在于，所述结构层(131)形成MEMS惯性传感器的悬置平台(132)。
6.根据权利要求1所述的微机电器件，其特征在于，所述去耦合沟槽(111)具有界定所述感应区域(112；135)和臂(113；136)的螺旋状，所述感应区域(112；135)和所述臂(113；136)被悬置 在所述第一掩埋腔(106)上方，所述臂支撑所述感应区域并将所述感应区域连接至所述单块本体(107；120)的外围区域(104；137)。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的微机电器件，其特征在于，还包括接合至所述单块本体(107；120)并且面对所述单块本体的所述第一面(107A；120A)的盖元件(115；150)。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述盖元件是ASIC(150)。
9.根据权利要求8所述的微机电器件，形成压力传感器，其特征在于，所述单块本体(107)包括在所述第一掩埋腔(106)与所述单块本体(107)的所述第二面(107B)之间延伸的基部区域(119)以及穿过所述基部区域的通孔(145)。
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