[发明专利]一种显示面板有效
| 申请号: | 201611264002.7 | 申请日: | 2016-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN106653773B | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
| 发明(设计)人: | 卓恩宗;樊堃;田轶群 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢涛 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 | ||
本发明公开一种显示面板,包括:基板;若干条第一层导线,所述若干条第一层导线设置在基板上;绝缘介质层,所述绝缘介质层设置在若干条第一层导线上,所述绝缘介质层的介电常数大于氧化硅层和氮化硅层的介电常数,所述绝缘介质层包括组合物,所述组合物包括第一组成物和第二组成物,所述第一组成物的介电常数小于氧化硅层和氮化硅层的介电常数,所述第二组成物的介电常数大于氧化硅层和氮化硅层的介电常数。增大器件存储电荷能力,通过调节第一组成物和第二组成物的比例实现绝缘介质层的介电常数可调。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体的说,涉及一种显示面板。
背景技术
显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有市场上的显示器大部分为背光型显示器,其包括显示面板及背光模组(backlight module)。显示面板的工作原理是在两片平行的基板当中放置液晶分子,并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向,以将背光模组的光线折射出来产生画面。
其中,薄膜晶体管显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能,目前已经逐渐占据了显示领域的主导地位。同样,薄膜晶体管显示器包含显示面板和背光模组,显示面板包括彩膜基板(Color Filter Substrate,CF Substrate,也称彩色滤光片基板)和薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Substrate,TFT Substrate),上述基板的相对内侧存在透明电极。两片基板之间夹一层液晶分子(Liquid Crystal,LC)。显示面板是通过电场对液晶分子取向的控制,改变光的偏振状态,并藉由偏光板实现光路的穿透与阻挡,实现显示的目的。
由于集成电路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不断的减小,器件的封装密度不停的增大,因此对材料各方面性能的要求不断的提高。由于器件的比例缩小,目前器件的栅氧绝缘层厚度变得非常薄,对于比例小的器件而言,栅氧绝缘层厚度只会越来越薄,这需要有新的高K的栅氧绝缘介电材料。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种绝缘介质层的介电常数大的显示面板。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
一种显示面板,包括:
基板;
若干条第一层导线,所述若干条第一层导线设置在基板上;
绝缘介质层,所述绝缘介质层设置在若干条第一层导线上,所述绝缘介质层的介电常数大于氧化硅层和氮化硅层的介电常数,所述绝缘介质层包括组合物,所述组合物包括第一组成物和第二组成物。
其中,所述第一组成物包括纳米多孔硅。
纳米多孔硅可以做的非常薄,可以减小绝缘介电层的厚度,可以满足集成电路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不断的减小的需求,纳米多孔硅本身具有疏水性。
其中,所述第二组成物包括锗纳米颗粒。
锗的介电常数为16,通过调节锗的比例提高绝缘介质层的介电常数,当然也可以采用其他介电常数高的金属和其他材料。
其中,所述第一组成物包括纳米多孔硅,所述第二组成物包括锗纳米颗粒。
纳米多孔硅可以做的非常薄,可以减小绝缘介电层的厚度,可以满足集成电路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不断的减小的需求,纳米多孔硅本身具有疏水性,锗的介电常数为16,纳米多孔硅本身具有很多硅孔,锗纳米颗粒可以存入硅孔内,不会增加通过纳米多孔硅的厚度,通过调节锗纳米颗粒Ge的负载量实现介电系数可控调节。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





