[发明专利]一种显示面板有效
| 申请号: | 201611264002.7 | 申请日: | 2016-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN106653773B | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
| 发明(设计)人: | 卓恩宗;樊堃;田轶群 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢涛 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
若干条第一层导线,所述若干条第一层导线设置在基板上;
绝缘介质层,所述绝缘介质层设置在若干条第一层导线上,所述绝缘介质层的介电常数大于氧化硅层和氮化硅层的介电常数,所述绝缘介质层包括组合物,所述组合物包括第一组成物和第二组成物,所述第一组成物的介电常数小于氧化硅层和氮化硅层的介电常数,所述第二组成物的介电常数大于氧化硅层和氮化硅层的介电常数,所述第一组成物包括纳米多孔硅。
2.如权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,所述第二组成物包括锗纳米颗粒。
3.如权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,所述第一组成物包括纳米多孔硅,所述第二组成物包括锗纳米颗粒。
4.如权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,所述绝缘介质层包括纳米多孔硅,所述纳米多孔硅包括多个彼此连接的空心柱状的子组件,所述子组件切面为六边形,所述子组件中间具有圆形通孔,所述子组件的圆形通孔上设有多个硅孔,所述硅孔内设有锗纳米颗粒。
5.如权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,所述绝缘介质层上对应栅极导线段设有非晶硅层,所述非晶硅层上设有与非晶硅层对应的欧姆接触层,所述欧姆接触层上设有分隔的源极导线段和漏极导线段,所述源极导线段和漏极导线段之间设有沟道,所述沟道穿过欧姆接触层,所述沟道底部为非晶硅层,所述源极导线段和漏极导线段宽度大于非晶硅层的宽度,所述源极导线段和漏极导线段上设有第二绝缘层,所述第二绝缘层上设有像素电极层,所述第二绝缘层对应漏极导线段设有过孔,所述像素电极层通过过孔与漏极导线段连接。
6.如权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,所述绝缘介质层上对应栅极导线段设有非晶硅层,所述非晶硅层上设有与非晶硅层对应的欧姆接触层,所述欧姆接触层上设有分隔的源极导线段和漏极导线段,所述源极导线段和漏极导线段之间设有沟道,所述沟道穿过欧姆接触层,所述沟道底部为非晶硅层,所述源极导线段和漏极导线段宽度等于与其接触的欧姆接触层的宽度,所述源极导线段和漏极导线段上设有第二绝缘层,所述第二绝缘层上设有像素电极层,所述第二绝缘层对应漏极导线段设有过孔,所述像素电极层通过过孔与漏极导线段连接。
7.如权利要求5或6所述的一种显示面板,其特征在于,所述第二绝缘层的相对介电常数小于氮化硅和氧化硅的相对介电常数。
8.如权利要求7所述的一种显示面板,其特征在于,所述源极导线段超出所述非晶硅层部分一侧直接连接所述绝缘介质层,另一侧直接连接低介电常数保护层,所述低介电常数保护层包括介孔氧化硅。
9.如权利要求8所述的一种显示面板,其特征在于,所述介孔氧化硅包括多个子单元,所述子单元包括成三行排列的子部件,所述子单元的中间一行包括并排的三个子部件,所述子单元的第一行和第三行分别包括并排的两个子部件,所述第一行和第三行的两个子部件分别设置在中间一行三个子部件的任意两个子部件之间,所述子部件切面为六边形,所述子部件中间具有圆形通孔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司,未经惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611264002.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:包装盒
- 下一篇:辐射探测器组件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





