[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板制造方法、真空气相蒸发台及其控制方法

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板制造方法、真空气相蒸发台及其控制方法，该制造方法包括在真空环境中加热容置在材料源中的栅极导电材料使含有栅极导电材料元素的蒸气经过相应的孔形掩膜版后沉积在衬底上形成栅极；加热介电层导电材料和诱导剂使蒸气进行聚合反应后沉积在栅极导电层上形成介电层；加热有源层材料使蒸气经过相应的孔形掩膜版后沉积在介电层上形成有源层；加热源漏极导电材料使蒸气经过相应的孔形掩膜版后沉积在有源层上形成源漏极。采用本方案可以简化薄膜晶体管的制备过程，降低薄膜晶体管的制造成本，以及降低了人力成本，使薄膜晶体管阵列基板的制造工艺智能化。

技术领域

本发明涉及阵列基板制造工艺技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板制造方法、真空气相蒸发台及其控制方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)技术是当前的主流显示技术，在该项技术中，薄膜晶体管阵列(TFT Array)是平板显示器件的重要组成部分，该部分是平板显示器件中像素单元的核心控制单元，制备薄膜晶体管阵列涉及到多个工序，比如离子溅射(sputtering)、化学气相沉积(chemical vapor deposition)、刻蚀(Etch)等，其中化学气相沉积步骤主要是针对薄膜晶体管中有源层及绝缘层的生成，整个薄膜晶体管的制备过程繁琐且耗时，而且薄膜晶体管图案的形成还涉及到曝光、显影等，曝光过程既需要昂贵的掩膜版，同时还需要光阻材料，现有薄膜晶体管阵列制备工艺示意图如图1所示。因此，为了简化薄膜晶体管阵列的制备过程，降低生产成本，提升薄膜晶体管相关产品的竞争力，亟需开发一种新型的薄膜晶体管器件的制备方法。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括在真空环境中执行的以下步骤：

加热容置在材料源中的栅极导电材料，以形成含有栅极导电材料元素的蒸气；使所述含有栅极导电材料元素的蒸气经过相应的孔形掩膜版后沉积在衬底上，形成薄膜晶体管的栅极；

加热容置在材料源中的介电层导电材料和诱导剂，以形成含有介电层导电材料元素和诱导剂元素的蒸气；使所述含有介电层导电材料元素和诱导剂元素的蒸气进行聚合反应后沉积在所述栅极导电层上，形成介电层；

加热容置在材料源中的有源层材料，以形成含有有源层材料元素的蒸气；使所述含有有源层材料元素的蒸气经过相应的孔形掩膜版后沉积在所述介电层上，形成有源层；

加热容置在材料源中的源漏极导电材料，以形成含有源漏极导电材料元素的蒸气；使所述含有源漏极导电材料元素的蒸气经过相应的孔形掩膜版后沉积在所述有源层上，形成薄膜晶体管的源极和漏极。

本发明还提供了一种真空气相蒸发台，用于采用所述的制造方法来制造薄膜晶体管阵列基板，所述真空气相蒸发台包括：

真空罩；

设置在所述真空罩中的材料源；

用于对所述材料源内的材料进行加热的加热装置；

用于固定孔形掩膜版的固定装置。

在一个实施例中，所述真空气相蒸发台还包括：

控制器；

用于控制所述真空罩中的真空度的真空控制装置；

设置在所述真空罩中的材料源；

用于检测所述材料源中材料的温度、并将温度检测结果发送给所述控制器的温度检测装置；

用于检测所述材料源中材料的重量、并将重量检测结果发送给所述控制器的重量检测装置；

用于在所述控制器的控制下，将容置材料的材料源放入所述真空罩中，并在所述固定装置上安装孔形掩膜版的安装装置；