[发明专利]辐射探测器组件及其制造方法在审
| 申请号: | 201611247731.1 | 申请日: | 2016-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN106653778A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
| 发明(设计)人: | 赵博震;张清军;赵自然;李树伟;孙立风;张文剑 | 申请(专利权)人: | 同方威视技术股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;G01T1/20 |
| 代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司11438 | 代理人: | 阚梓瑄,郜文刚 |
| 地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 辐射 探测器 组件 及其 制造 方法 | ||
1.一种辐射探测器组件,其特征在于,包括一基体以及外封装层,所述基体包括:
闪烁体,两端分别具有入射面和出光面,所述入射面以及闪烁体的外周面上设有反射层;
光敏器件,包括光敏面及封装外壳,所述光敏面与所述出光面通过光学胶相耦合;
内封装层,粘结于所述反射层的外表面并密封包裹所述闪烁体与光敏器件的耦合部位;
所述外封装层化学沉积于所述基体外表面。
2.根据权利要求1所述的辐射探测器组件,其特征在于,所述内封装层包括至少一金属膜层和/或有机物膜层。
3.根据权利要求1所述的辐射探测器组件,其特征在于,所述内封装层的厚度小于0.1毫米,和/或所述外封装层的厚度不低于10微米。
4.根据权利要求1所述的辐射探测器组件,其特征在于,所述外封装层为低压化学沉积而成的有机薄膜。
5.根据权利要求1所述的辐射探测器组件,其特征在于,所述闪烁体为横截面呈矩形的长方体。
6.根据权利要求1至5中任一所述的辐射探测器组件,其特征在于,所述内封装层在所述闪烁体上围合成一个突出于所述出光面的围堰,光学胶位于所述围堰内,所述光敏器件位于光学胶内,且所述光敏器件的光敏面与出光面贴合,所述光学胶的水平面覆盖光敏器件的封装外壳并与围堰顶部平齐。
7.一种辐射探测器组件的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
形成一基体,其中该基体包括闪烁体、光敏器件及内封装层;闪烁体两端分别具有入射面和出光面,所述入射面以及闪烁体的外周面上设有反射层;所述光敏器件与所述闪烁体的出光面通过光学胶相耦合;内封装层粘结于所述反射层的外表面并密封包裹所述闪烁体与光敏器件的耦合部位;
在所述基体的外表面通过化学沉积的方法形成一外封装层。
8.根据权利要求7所述的辐射探测器组件的制造方法,其特征在于,所述内封装层包括至少一金属膜层和/或有机物膜层。
9.根据权利要求6所述的辐射探测器组件的制造方法,其特征在于,形成所述基体时,首先所述内封装层在所述闪烁体上围合成一个突出于所述出光面的围堰,然后使所述闪烁体呈竖立状态,以使出光面位于入射面的上方,在所述围堰内加入光学胶,并将所述光敏器件置入光学胶内,使光敏器件的光敏面与出光面贴合,所述光学胶的水平面覆盖光敏器件的封装外壳并与围堰顶部平齐。
10.根据权利要求8所述的辐射探测器组件的制造方法,其特征在于,形成所述外封装层时,在基体外表面通过低压化学沉积为成有机薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





