[发明专利]底发光型OLED显示单元及其制作方法有效
申请号: | 201611217655.X | 申请日: | 2016-12-26 |
公开(公告)号: | CN106847861B | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 余威 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 oled 显示 单元 及其 制作方法 | ||
本发明公开了一种底发光型OLED显示单元及其制作方法,该底发光型OLED显示单元,包括透明基底,在所述透明基底上设置有多个用于构成驱动电路的薄膜晶体管结构,在所述薄膜晶体管结构的上方设置有层间绝缘层与平坦层,在所述层间绝缘层与所述平坦层之间设置有光导出层,所述光导出层被配置为使投射到其表面上的光发生偏转,以避开所述薄膜晶体管结构对光的遮挡。该OLED显示单元能够提高OLED显示器的出光效率,增加显示画面的亮度,改善显示效果。
技术领域
本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种底发光型OLED显示单元及其制作方法。
背景技术
OLED显示器是新一代的显示器,相对于液晶显示器具有自发光,响应快,视角广,色彩饱和等许多优点。OLED显示器主要是通过在OLED基板上制作有机薄膜,并在有机薄膜的两侧设置阴极和阳极金属构成。给包夹有机薄膜的阴极和阳极施加电压,有机薄膜就会发光以形成图像显示。
目前,OLED显示器分为底发光型(相对基板向下发光)和顶发光型(相对基板向上发光)两种。其中,顶发光型OLED显示器为阳极反射,阴极透光,需要用到微腔效应,对各膜层的厚度要求严格,制作工艺难度较高。底发光型OLED显示器为阳极透光,阴极反射,阳极一般采用传统ITO薄膜,阴极一般采用如Al,Mg,Ag等金属,制作工艺相对简单,故得到广泛使用。
但在OLED显示器中,每个像素单元都会相应设置多个薄膜晶体管结构TFT进行控制,有的用来作为开关元件,有的用来控制电流的大小,有的则起到补偿电路的作用。多个TFT的存在会导致OLED底发光型显示器的开口率变小,一部分OLED器件的发光材料(有机薄膜)发出的光线会被TFT遮挡,无法有效输出,进而降低了OLED显示器的出光效率,如图1所示。
本发明针对上述问题提出解决方案。
发明内容
本发明所要解决的技术问题之一是减少OLED底发光型显示器中薄膜晶体管结构对光线的遮挡,提高OLED显示器的出光效率。
为了解决上述技术问题,本申请的实施例首先提供了一种底发光型OLED显示单元,包括透明基底,在所述透明基底上设置有多个用于构成驱动电路的薄膜晶体管结构,在所述薄膜晶体管结构的上方设置有层间绝缘层与平坦层,在所述层间绝缘层与所述平坦层之间设置有光导出层,所述光导出层被配置为使投射到其表面上的光发生偏转,以避开所述薄膜晶体管结构对光的遮挡。
优选地,用于制作所述光导出层的材料的折射率大于用于制作所述平坦层的材料的折射率。
优选地,用于制作所述光导出层的材料的光透过率大于或者等于用于制作所述平坦层的材料的光透过率。
优选地,所述光导出层设置在与多个薄膜晶体管结构之间的空隙相对应的区域内。
优选地,所述光导出层包括光直射区域与光折射区域,且所述光折射区域位于所述光直射区域的周边位置;照射所述光直射区域的光,其光路不发生变化或不发生显著变化;照射所述光折射区域的光,其光路发生显著变化。
优选地,所述光直射区域具有平行于所述平坦层的表面,所述光折射区域具有相对于所述平坦层倾斜的表面。
优选地,所述光直射区域与所述光折射区域均具有弧形的表面。
优选地,所述光导出层采用有机材料或无机材料制作。
本申请的实施例还提供了一种用于制作底发光型OLED显示单元的方法,包括:在透明基底上形成多个用于构成驱动电路的薄膜晶体管结构;在所述薄膜晶体管结构的上方形成层间绝缘层;在所述层间绝缘层的上方形成材料层;图案化所述材料层,以形成光导出层;在所述光导出层的上方形成平坦层。
优选地,采用灰阶光罩来图案化所述材料层,以形成所述光导出层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的