[发明专利]一种直径可调铋纳米线阵列的制备方法

权利要求书

1.一种直径可调的铋纳米线阵列的制备方法，包括以下步骤：

步骤1、清洗半导体基片：将半导体基片依次在氢氟酸溶液、去离子水、丙酮中超声清洗，氮气吹干；

步骤2、通过分子束外延的方式在步骤1清洗干净的半导体基片上生长直径可调的铋纳米线阵列：

2-1.将半导体基片装入分子束外延腔室，抽真空至10^-10Torr以下；

2-2.将锡源以每分钟7℃的速度升温至1000～1100℃，铋源以每分钟3℃的速度升温至450～500℃，半导体基片以每分钟5℃的速度升温至300～350℃；

2-3.打开锡源，同时基片以0.2～2转/秒的速度匀速旋转，以保证锡纳米液滴的均匀性；

2-4.5～30min后关闭锡源，即可得到直径从20～300nm可调的锡纳米液滴，然后打开铋源，基片仍然以0.2～2转/秒的速度匀速旋转，通过锡纳米液滴诱导生长铋纳米线阵列；

2-5.120～240min后关闭铋源，然后将半导体基片、锡源和铋源以每分钟7℃的速度降温至常温，即可得到所述直径可调的铋纳米线阵列。

2.根据权利要求1所述的直径可调的铋纳米线阵列的制备方法，其特征在于，步骤2所述锡源为纯度不低于99.99wt％的锡，所述铋源为纯度不低于99.99wt％的铋。

3.权利要求1至2中任一项所述方法得到的直径可调的铋纳米线阵列在高灵敏度光电探测器以及太阳能电池中的应用。