[发明专利]在晶片表面形成复杂曲面的方法在审
| 申请号： | 201611207872.0 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN108242398A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 徐元俊;顾佳烨 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻胶 晶片表面 晶片 光刻胶表面 光掩模图形 灰度分布 刻蚀 表面形成 厚度分布 曲面转移 曝光 显影 申请 转化 | ||
【权利要求书】：
1.一种在晶片表面形成复杂曲面的方法，其特征在于，该方法包括：
在晶片的表面形成光刻胶；
利用具有第一灰度分布的光掩模图形对所述光刻胶进行曝光，并使曝光后的光刻胶显影，以将所述光掩模图形中的所述第一灰度分布转化为所述光刻胶的第一厚度分布，从而在所述光刻胶表面形成曲面；以及
对所述光刻胶的表面和所述晶片的表面进行刻蚀，以将所述光刻胶表面的曲面转移到所述晶片的表面。
2.如权利要求1所述的在晶片表面形成复杂曲面的方法，其特征在于，
在刻蚀的步骤中，所述光刻胶和所述晶片的刻蚀选择比为1：1-1：50。
3.如权利要求1所述的在晶片表面形成复杂曲面的方法，其特征在于，在刻蚀的步骤中，对刻蚀区域内不同部位的刻蚀时间相同。
4.如权利要求3所述的在晶片表面形成复杂曲面的方法，其特征在于，
越薄的光刻胶覆盖的晶片表面被刻蚀的深度越深。
5.如权利要求1所述的在晶片的表面形成曲面的方法，其特征在于，
所述曝光的时间是100毫秒-800毫秒。
6.如权利要求1所述的在晶片表面形成复杂曲面的方法，其特征在于，
所述光掩模图形的第一灰度分布至少是根据目标曲面，所述光刻胶和所述晶片的刻蚀选择比，以及所述光掩模图形的灰度与所述光刻胶的曝光深度之间的关系来确定的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
