[发明专利]阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法有效
申请号: | 201611206273.7 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN106783879B | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 陈剑鸿 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/64;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 制备 方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
第一基板;
第一金属层,设置于所述第一基板一侧;
第一绝缘层,设置于所述第一金属层背对所述第一基板一侧;
半导体层,设置于所述第一绝缘层背对所述第一金属层一侧;
第二金属层,设置于所述半导体层背对所述第一绝缘层一侧;
第二绝缘层,设置于所述第二金属层背对所述半导体层一侧;
像素电极,设置于所述第二绝缘层背对所述第二金属层一侧;
其中,所述第二绝缘层设有第一过孔,用于电性连接所述第二金属层与所述像素电极,所述第一金属层与所述第二金属层构成第一存储电容,所述第一金属层和所述像素电极构成第二存储电容,且同时所述第二绝缘层、所述第二金属层以及所述半导体层设有第二过孔,所述像素电极延伸至所述第二过孔的孔壁和孔底,以使得与所述第一金属层构成所述第二存储电容。
2.如权利要求1所述的基板,其特征在于,
所述第一过孔和第二过孔同一位置或不同位置。
3.如权利要求1至2任一项所述的基板,其特征在于,
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层由氮化硅材料制成,所述半导体层由非晶硅材料制成。
4.一种显示面板,其特征在于,包括平行设置的阵列基板与第二基板,所述阵列基板包括:
第一基板;
第一金属层,设置于所述第一基板一侧;
第一绝缘层,设置于所述第一金属层背对所述第一基板一侧;
半导体层,设置于所述第一绝缘层背对所述第一金属层一侧;
第二金属层,设置于所述半导体层背对所述第一绝缘层一侧;
第二绝缘层,设置于所述第二金属层背对所述半导体层一侧;
像素电极,设置于所述第二绝缘层背对所述第二金属层一侧;
其中,所述第二绝缘层设有第一过孔,用于电性连接所述第二金属层与所述像素电极,所述第一金属层与所述第二金属层构成第一存储电容,所述第一金属层和所述像素电极构成第二存储电容,且同时所述第二绝缘层、所述第二金属层以及所述半导体层设有第二过孔,所述像素电极延伸至所述第二过孔的孔壁和孔底,以使得与所述第一金属层构成第二存储电容。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
所述第一过孔和第二过孔同一位置或不同位置。
6.如权利要求4至5任一项所述的显示面板,其特征在于,
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层由氮化硅材料制成,所述半导体层由非晶硅材料制成。
7.一种显示装置,其特征在于,包括背光模组和如权利要求4至6任一项所述的显示面板。
8.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
提供第一基板;
在所述第一基板一侧形成第一金属层;
在所述第一金属层的背对所述第一基板的一侧依次形成第一绝缘层、半导体层、第二金属层、第二绝缘层以及像素电极;
在所述第二绝缘层上开设第一过孔,用于电性连接所述第二金属层与所述像素电极,所述第一金属层与所述第二金属层构成第一存储电容,所述第一金属层和所述像素电极构成第二存储电容,
其中,在所述第二绝缘层上开设第一过孔的同时,在所述第二绝缘层、所述第二金属层以及所述半导体层开设第二过孔,以使所述像素电极延伸至所述第二过孔的孔壁和孔底而与所述第一金属层构成所述第二存储电容。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的