[发明专利]一种单晶样片腐蚀机在审
申请号: | 201611190741.6 | 申请日: | 2016-12-20 |
公开(公告)号: | CN108203845A | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 边永智;宁永铎;程凤伶;张亮;蔡丽艳 | 申请(专利权)人: | 有研半导体材料有限公司 |
主分类号: | C30B35/00 | 分类号: | C30B35/00;C30B33/10;G01N1/32 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 刘秀青;熊国裕 |
地址: | 101300 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 腐蚀 单晶 腐蚀剂 腐蚀机 工艺槽 样片表面 吸盘 表面化学腐蚀 垂直移动机构 水平移动机构 机械手 单面腐蚀 化学气氛 均匀接触 排风系统 清洗水槽 稳定控制 循环系统 匀速旋转 转动机构 后表面 混液槽 镜面化 控温 排风 盘管 去除 通孔 溢流 泄露 消耗 加工 | ||
本发明公开了一种单晶样片腐蚀机。该单晶样片腐蚀机,包括机械手、腐蚀工艺槽、清洗水槽;其中,机械手上设有水平移动机构、垂直移动机构和吸盘转动机构;腐蚀工艺槽由带有通孔的腐蚀平台、带有控温盘管的混液槽、腐蚀剂溢流循环系统、设置在腐蚀工艺槽周围的排风系统组成。本发明的单晶样片腐蚀机可以实现对单晶样片进行表面化学腐蚀加工。在腐蚀过程中,通过稳定控制腐蚀剂温度,样片匀速旋转,腐蚀剂与样片均匀接触,实现样片表面腐蚀去除均匀稳定,可以实现样片表面快速腐蚀后表面均匀,镜面化效果好。由于只进行单面腐蚀,能大大降低腐蚀剂消耗,降低生产成本。设备本身有排风设置,可以有效降低化学气氛泄露。
技术领域
本发明涉及本发明涉及一种单晶样片腐蚀机,适用于6-12英寸单晶拉制后取样检测单晶缺陷检验制样的过程,属于半导体材料晶圆制造设备技术领域。
背景技术
在半导体单晶生产中,必须要单晶头尾和内部缺陷情况,判定单晶是否满足半导体方面的特殊需求。通常是从单晶头尾或特定部位截取一定厚度样片,通过化学腐蚀得到一个光亮平滑的表面,在经过缺陷氧化、择优腐蚀等处理后将晶体缺陷显现出来,作为评判单晶质量的依据。
单晶样片需要尽可能接近抛光表面,最好将单晶样片做成抛光片表面最有利于做缺陷分析检测,但是加工厂中直接切割取样,单晶样片边缘未经处理,常规加工设备无法进行加工。
通常生产厂制样时将样片浸泡在腐蚀剂中,将样片腐蚀很长时间后得到过量腐蚀的光亮表面,即便如此,样片表面一般很难做到均匀,容易影响工艺人员的判断。另一方面每次都需要配置腐蚀剂,样片完全浸泡在腐蚀剂中,需要消耗大量腐蚀剂,腐蚀过程加工成本高。腐蚀过程产生大量化学气氛,一般需要在腐蚀间通风橱中进行。
发明内容
本发明的目的在于提供一种单晶样片腐蚀机,适用于6-12英寸单晶拉制后取样检测单晶缺陷检验制样的过程。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种单晶样片腐蚀机,包括机械手、腐蚀工艺槽、清洗水槽;其中,机械手上设有水平移动机构、垂直移动机构和吸盘转动机构;腐蚀工艺槽由带有通孔的腐蚀平台、带有控温盘管的混液槽、腐蚀剂溢流循环系统、设置在腐蚀工艺槽周围的排风系统组成。
所述水平移动机构与垂直移动机构由电机驱动的齿轮和齿条组合控制,通过控制电机转动来控制吸盘转动机构位置,使单晶样片处于腐蚀或是清洗工艺位置。所述垂直移动机构控制样片与腐蚀平台的间距。
所述带有控温盘管的混液槽通过连接冷却水或热源水为混液槽液体降温或升温。通过控制动力冷热水流量和温度来控制混液槽温度。
其中,所述水平移动机构和垂直移动机构由电机与齿条组成。
所述垂直移动机构可以上下移动,工作时将样片稳定在腐蚀平台上方,与平台间距1-10mm,接触到腐蚀剂液面。
所述吸盘旋转机构运行时,旋转速度从0-50rpm可调。
所述腐蚀平台上开有通孔列阵,通孔直径2-10mm。
所述腐蚀工艺槽四周设有排风框架,框架有排风管道与厂务排风相连,框架内侧开有排风孔。
所述腐蚀工艺槽下方设有混液控温槽,控温槽内部设有控温盘管,控温槽与上层腐蚀工艺槽由溢流回流管相连,控温槽通过管道、循环泵与腐蚀平台相连。
所述单晶样片腐蚀机的机体与腐蚀剂接触部位材质为聚乙烯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯或衬附聚四氟乙烯不锈钢等防腐材料。吸盘旋转机构末端吸盘材质为含氟橡胶或是聚四氟乙烯等防腐蚀材料。
本发明的单晶样片腐蚀机适用的腐蚀剂包括氢氧化钠、氢氧化钾、硝酸氢氟酸混合酸、硅材料择优腐蚀剂。
本发明的优点在于:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于有研半导体材料有限公司,未经有研半导体材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611190741.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:钽酸镁系列晶体及其制备方法
- 下一篇:一种敞口石英安瓿的排气封接装置及方法