[发明专利]一种量子点薄膜图像传感器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种量子点薄膜图像传感器结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01：提供一衬底，在所述衬底上形成金属互连层；

步骤S02：在所述金属互连层上形成对应图像传感器像素单元的多个金属电极；

步骤S03：在所述金属互连层上形成覆盖金属电极的第一保护层；

步骤S04：在像素区域外围的第一保护层上定义并形成焊盘；

步骤S05：在所述焊盘及第一保护层表面覆盖形成第二保护层；

步骤S06：在像素区域定义各像素单元区域图形，然后依次去除第二、第一保护层，形成对应像素单元的多个凹槽，并以各凹槽之间保留的第二、第一保护层材料作为像素单元之间的隔离结构；

步骤S07：向各凹槽中填充量子点薄膜，并至少覆盖凹槽中的金属电极，形成各光电转换单元。

2.根据权利要求1所述的量子点薄膜图像传感器结构的制造方法，其特征在于，通过形成一至多层叠层结构方式制作所述第一、第二保护层。

3.根据权利要求1所述的量子点薄膜图像传感器结构的制造方法，其特征在于，所述第一保护层包括位于下层的氮化硅层和位于上层的二氧化硅层，所述第二保护层包括氮化硅层。

4.根据权利要求1所述的量子点薄膜图像传感器结构的制造方法，其特征在于，采用旋涂法向各凹槽中填充量子点薄膜。

5.根据权利要求1所述的量子点薄膜图像传感器结构的制造方法，其特征在于，所述量子点薄膜的填充高度不超过第一保护层的高度。

6.根据权利要求1所述的量子点薄膜图像传感器结构的制造方法，其特征在于，通过标准CMOS工艺制作形成多层所述金属互连层结构。