[发明专利]一种基于版图几何特征匹配的光刻解决方案预测方法

说明书

本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种基于版图几何特征匹配的光刻解决方案预测方法，包括：获得标准版图几何信息数据库，获得待匹配版图几何信息，将待匹配版图几何信息和标准版图几何信息数据库中的几何信息进行匹配，根据匹配结果选取第一标准版图，将第一标准版图所对应的光刻解决方案作为待匹配版图的光刻解决方案候选，预测待匹配版图的光刻解决方案。解决了现有技术中不能分析未知或未受检测的几何图形组合、不能为未知的版图图形提供工艺研发的预选方案、无法直观反馈版图设计缺陷的问题。达到了为未知的版图图形提供工艺研发的预选方案，直观反馈版图设计缺陷的技术效果。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种基于版图几何特征匹配的光刻解决方案预测方法。

背景技术

随着半导体工艺水平的提高和市场需求的增长,超大规模集成电路(VLSI)设计的复杂度越来越高，设计版图与生产工艺流程之间出现一些预期之外的不良相互作用。工艺缺陷导致版图几何图形特征尺寸高度可变，使得这些相互作用非常难以预测。在理想的情况下，一个物理设计版图验证步骤应当能够捕捉到版图中潜在的容易造成工艺缺陷的几何结构。

传统的设计规则检测(DRC)的功能是基于大量的预先设定一些固定的几何尺寸组合规则，通过在设计版图中检测图形结构是否符合这些规则的要求，最终判断版图能否通过检测。然而，先进节点的物理设计中存在大量的版图某一层以及某几层之间的几何结构数据。传统的DRC功能没有灵敏到能够抓住所有的容易产生缺陷的版图图形，实际DRC功能只挖掘了其中很少的一部分数据进行检查分析。传统方法不能分析未知或未受检测的几何图形组合、不能为未知的版图图形提供工艺研发的预选方案。此外，传统方法采用版图频谱分布匹配结果进行预测，从频域出发，无法直观反馈版图设计上的缺陷。

发明内容

本申请实施例通过提供一种基于版图几何特征匹配的光刻解决方案预测方法，解决了现有技术中不能分析未知或未受检测的几何图形组合、不能为未知的版图图形提供工艺研发的预选方案、无法直观反馈版图设计缺陷的问题。

本申请实施例提供一种基于版图几何特征匹配的光刻解决方案预测方法，包括：获得标准版图几何信息数据库；获得待匹配版图几何信息；将所述待匹配版图几何信息和所述标准版图几何信息数据库中的几何信息进行匹配；根据所述匹配结果选取第一标准版图；将所述第一标准版图所对应的光刻解决方案作为所述待匹配版图的光刻解决方案候选，预测所述待匹配版图的光刻解决方案。

优选的，所述获得标准版图几何信息数据库包括：获得标准版图集合以及集合中各个标准版图对应的光刻解决方案；根据所述标准版图获得所述标准版图的几何信息；对所述标准版图几何信息进行统计与分类；根据所述标准版图几何信息的提取结果、统计结果、分类结果，获得所述标准版图几何信息，并存入数据库。

优选的，所述获得待匹配版图几何信息包括：获得待匹配版图的特征图形；根据所述特征图形获得所述特征图形的几何信息；对所述特征图形几何信息进行统计与分类；根据所述特征图形几何信息的提取结果、统计结果、分类结果，获得所述待匹配版图几何信息，并存储。

优选的，所述标准版图的几何信息包括：标准版图中所有图形的线宽、间距、角对角的宽度、角对角的间距。

优选的，所述对标准版图几何信息进行统计包括：统计标准版图图形的最大宽度、最小宽度、最大长度、最小长度、最大间距、最小间距、角对角的最大宽度、角对角的最小宽度、角对角的最大间距、角对角的最小间距、平均长度、平均宽度、角对角的平均宽度、角对角的平均间距、平均密度。

优选的，所述特征图形的几何信息包括：特征图形的线宽、间距、角对角的宽度、角对角的间距。

优选的，所述对特征图形几何信息进行统计包括：统计特征图形的最大宽度、最小宽度、最大长度、最小长度、最大间距、最小间距、角对角的最大宽度、角对角的最小宽度、角对角的最大间距、角对角的最小间距、平均长度、平均宽度、角对角的平均宽度、角对角的平均间距、平均密度。