[发明专利]掺杂ZrO2及制备方法、QLED器件及制备方法

说明书

本发明公开掺杂ZrO₂及制备方法、QLED器件及制备方法，方法包括步骤：在锆盐的水溶液中，加入锌源和/或锡源，然后再加入氮源，并加入碱溶液，使反应体系pH=7.5‑9；然后将反应体系在150‑230℃下反应5‑24h；最后将反应后的溶液进行离心分离，并洗涤后，干燥得到掺杂ZrO₂。本发明通过将锌源和/或锡源混合到锆盐的溶液中，使得氧化锆中掺入锡和/或锌元素，进而可以调节氧化锆的能级结构，降低了氧化锆的导带能级，提升其功函数，从而降低了载流子注入的势垒；并且可以通过调节能级，使得氧化锆可以和更多的量子点能级匹配；另外通过掺杂氮元素，进而使得氧化锆中产生更多的供体中心，进而促进了电子的传输。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种掺杂ZrO₂及制备方法、QLED器件及制备方法。

背景技术

目前QLED和OLED器件中，ZnO（氧化锌）、TiO₂（氧化钛）和ZrO₂（氧化锆）作为无机电子注入层，而被广泛应用，并且使得器件的性能得到了提高。ZrO₂和TiO₂是同族的氧化物，但是其在QLED中和OLED中的应用鲜有报道。而最近有文献报道使用ZrO₂作为电子注入层制备成QLED，但是这其中ZrO₂的制备方法并没有给出，而是在其它的公司购买。由目前的状况可以发现ZrO₂的制备仍是需要解决的问题。并且该文献中指出ZrO₂的能级和InP量子点的能级比较匹配，但是不同的量子点其能级是不同的，因此该文献中制备的氧化锆方法，不太适合应用到其它量子点的LED器件中。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种掺杂ZrO₂及制备方法、QLED器件及制备方法，旨在解决ZrO₂能级不太适合除InP以外的 QD，现有方法不适合应用到除InP以外量子点的LED器件中的问题。

本发明的技术方案如下：

一种掺杂ZrO₂的制备方法，其中，包括步骤：

在锆盐的水溶液中，加入锌源和/或锡源，然后再加入氮源，并加入碱溶液，使反应体系pH=7.5-9；然后将反应体系在150-230℃下反应5-24h；最后将反应后的溶液进行离心分离，并洗涤后，干燥得到掺杂ZrO₂。

所述的掺杂ZrO₂的制备方法，其中，所述锆盐为氯化锆，锌源为氯化锌，锡源为氯化锡。

所述的掺杂ZrO₂的制备方法，其中，所述氮源为氯化铵。

所述的掺杂ZrO₂的制备方法，其中，所述碱溶液为四甲基氢氧化铵溶液、氨水、氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液中的一种。

所述的掺杂ZrO₂的制备方法，其中，按元素摩尔比计，所述N:（Zn和/或Sn）:Zr=x:(0.2-x):0.8，其中0.01<x<0.05。

一种掺杂ZrO₂，其中，采用如上任一所述的掺杂ZrO₂的制备方法制备而成，所述掺杂ZrO₂为氮锌、氮锡或氮锌锡掺杂的ZrO₂。

一种QLED器件的制备方法，其中，包括：

步骤A、在含有底电极的衬底上依次制备空穴注入层和空穴传输层；

步骤B、在空穴传输层上制备量子点发光层；