[发明专利]掺杂ZrO2及制备方法、QLED器件及制备方法

权利要求书

1.一种掺杂ZrO₂的制备方法，其特征在于，包括步骤：

在锆盐的水溶液中，加入锌源和/或锡源，然后再加入氮源，并加入碱性溶液，使反应体系pH＝7.5-9；然后将反应体系在150-230℃下反应5-24h；最后将反应后的溶液进行离心分离，并洗涤后，干燥得到掺杂ZrO₂。

2.根据权利要求1所述的掺杂ZrO₂的制备方法，其特征在于，所述锆盐为氯化锆，锌源为氯化锌，锡源为氯化锡。

3.根据权利要求1所述的掺杂ZrO₂的制备方法，其特征在于，所述氮源为氯化铵。

4.根据权利要求1所述的掺杂ZrO₂的制备方法，其特征在于，所述碱性溶液为四甲基氢氧化铵溶液、氨水、氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液中的一种。

5.根据权利要求1所述的掺杂ZrO₂的制备方法，其特征在于，按元素摩尔比计，所述N:(Zn和/或Sn):Zr＝x:(0.2-x):0.8，其中0.01<x<0.05。

6.一种掺杂ZrO₂，其特征在于，采用如权利要求1～5任一所述的掺杂ZrO₂的制备方法制备而成，所述掺杂ZrO₂为氮锌、氮锡或氮锌锡掺杂的ZrO₂。

7.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括：

步骤A、在含有底电极的衬底上依次制备空穴注入层和空穴传输层；

步骤B、在空穴传输层上制备量子点发光层；

步骤C、在量子点发光层上制备ZrO₂层；其中所述步骤C具体为：将如权利要求6所述的掺杂ZrO₂溶于溶剂中，得到ZrO₂溶液；然后在量子点发光层上旋涂所述ZrO₂溶液，制成ZrO₂层；

步骤D、在ZrO₂层上制备顶电极，然后进行封装，得到QLED器件。

8.一种QLED器件，其特征在于，所述QLED器件采用如权利要求7所述的QLED器件的制备方法制备而成；

所述QLED器件自下而上依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、ZrO₂层和顶电极。

9.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括：

步骤R、在含有底电极的衬底上制备ZrO₂层；其中所述步骤R具体为：将如权利要求6所述的掺杂ZrO₂溶于溶剂中，得到ZrO₂溶液；然后在含有底电极的衬底上旋涂所述ZrO₂溶液，制成ZrO₂层；

步骤S、在ZrO₂层上制备量子点发光层，然后在量子点发光层上制备空穴传输层；

步骤T、在空穴传输层上制备顶电极，然后进行封装，得到QLED器件。

10.一种QLED器件，其特征在于，所述QLED器件采用如权利要求9所述的QLED器件的制备方法制备而成；所述QLED器件自下而上依次包括衬底、底电极、ZrO₂层、量子点发光层、空穴传输层和顶电极。