[发明专利]一种导电氧化钛陶瓷溅射靶材及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化钛靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)提供改性的氧化钛纳米粉体；

2)将所述改性的氧化钛纳米粉体压制成型为陶瓷坯体；

3)在真空气氛或惰性气氛下，常压烧结处理所述陶瓷坯体，得到所述氧化钛靶材；

所述改性的氧化钛纳米粉体是如下制备的：

i)提供含氧化钛纳米粉体、还原性有机物和溶剂的第一混合物；

ii)球磨处理所述第一混合物，得到第二混合物；

iii)干燥处理所述第二混合物，得到第三混合物；

iv)煅烧处理所述第三混合物，得到第四混合物；

v)冷却所述第四混合物，得到所述改性的氧化钛纳米粉体；

所述氧化钛纳米粉体的粒径为200－500nm；

所述还原性有机物选自下组：葡萄糖、乙二醇、柠檬酸、草酸、或其组合；

所述改性的氧化钛纳米粉体的粒径为200－500nm；

在步骤i)中，所述氧化钛纳米粉体和所述还原性有机物的摩尔比为1-3：0.01-0.5；

步骤iv)所述煅烧处理的处理温度为200-600℃。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)所述压制成型包括两阶段：

阶段一：采用第一压力将所述改性的氧化钛纳米粉体压制形成为初级陶瓷坯体；和

阶段二：采用第二压力对所述初级陶瓷坯体进行压制，得到陶瓷坯体。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，阶段一所述压制采用单轴模压成型。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，阶段二所述压制采用等静压成型。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一压力为30-150MPa；和/或

阶段一所述压制成型的处理时间为10-300s。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二压力为100-350MPa；和/或

阶段二所述压制成型的处理时间为50-800s。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)所述烧结处理的升温速率为0.5-20℃/min；和/或

步骤3)所述烧结处理的处理温度为1000-1500℃；和/或

步骤3)所述烧结处理在所述处理温度的处理时间为30-500min。