[发明专利]操作存储装置的方法

说明书

本公开提供了存储装置和操作存储装置的方法。在操作包括至少一个非易失性存储器装置以及被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的存储装置的方法中，搜索包括在所述至少一个非易失性存储器装置中的多个存储器块中的第一存储器块的边界页，搜索第一存储器块的未写入数据的至少一个空白页，对边界页和所述至少一个空白页的一部分执行伪程序操作，对第一存储器块执行擦除操作。

本申请要求于2015年12月15日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0179099号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

发明构思的示例性实施例涉及存储装置，更具体地，涉及操作存储装置的方法。

背景技术

半导体存储器装置可以分类为易失性半导体存储器装置或非易失性半导体存储器装置。易失性半导体存储器装置可以高速执行读写操作。然而，易失性半导体存储器装置在没有电力的情况下丢失其中存储的数据。另一方面，非易失性半导体存储器装置在没有电力的情况下保留存储在其中的数据。

非易失性半导体存储器装置的示例可以包括掩模只读存储器(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)等。

发明内容

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种操作存储装置的方法，所述存储装置包括至少一个非易失性存储器装置以及被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的存储器控制器。搜索包括在所述至少一个非易失性存储器装置中的多个存储器块中的第一存储器块的边界页。搜索第一存储器块的未写入数据的至少一个空白页。对边界页和所述至少一个空白页的一部分执行伪程序操作。对第一存储器块执行擦除操作。

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种操作存储装置的方法，所述存储装置包括至少一个非易失性存储器装置以及被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的存储器控制器。在突然断电后搜索所述至少一个非易失性存储器装置的多个存储器块中的第一存储器块中的未写入数据的初始空白字线。突然断电是一种事件，在该事件期间供应到所述至少一个非易失性存储器装置的电力停止。对空白页选择性地执行伪程序操作。空白页是结合到初始空白字线的页。

根据发明构思的示例性实施例，存储装置包括存储器控制器，存储器控制器包括伪程序确定器和非易失性存储器装置，非易性存储器装置包括存储器单元阵列。存储器控制器被配置为控制非易失性存储器装置。存储器单元阵列包括多个存储器块。伪程序确定器搜索在所述多个存储器块中的第一存储器块的多个页中的边界页并确定是否对边界页和至少一个空白页的一部分执行伪程序操作。

附图说明

通过参照附图详细地描述发明构思的示例性实施例，发明构思的以上和其他特征将被更清楚地理解。

图1是示出根据发明构思的示例性实施例的存储装置的框图。

图2是示出根据发明构思的示例性实施例的图1的存储装置中的非易失性存储器装置的框图。

图3是示出根据发明构思的示例性实施例的图2中存储器单元阵列的框图。

图4是示出根据发明构思的示例性实施例的图3的存储器块中的一个存储块的透视图。

图5是沿着根据发明构思的示例性实施例的图4的存储器块的线I-I'截取的剖视图。

图6是示出根据发明构思的示例性实施例的参照图4和图5描述的存储器块的等效电路图的电路图。

图7是示出根据发明构思的示例性实施例的图2的非易失性存储器装置中的控制电路的框图。

图8是示出根据发明构思的示例性实施例的图2的非易失性存储器装置中的电压产生器的框图。

图9是示出对根据发明构思的示例性实施例的存储器块的程序操作的图。