[发明专利]操作存储装置的方法有效
申请号: | 201611160159.5 | 申请日: | 2016-12-15 |
公开(公告)号: | CN107068186B | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | 权俊秀;韩承澈;黄相元 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/16 | 分类号: | G11C16/16;G11C16/34;G11C16/08 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;邱玲 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 操作 存储 装置 方法 | ||
1.一种操作存储装置的方法,所述存储装置包括至少一个非易失性存储器装置和被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的存储器控制器,所述方法包括:
搜索第一存储器块的边界页,第一存储器块位于包括在所述至少一个非易失性存储器装置中的多个存储器块中,其中,边界页是在突然断电发生时正在执行正常程序操作的页;
搜索第一存储器块的未写入数据的至少一个空白页;
对边界页和所述至少一个空白页的一部分执行伪程序操作;以及
对第一存储器块执行擦除操作。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,响应于突然断电信息执行伪程序操作,突然断电信息响应于突然断电而产生,
其中,突然断电是一种事件,在该事件期间供应到所述至少一个非易失性存储器装置的电力停止。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述至少一个空白页是在突然断电发生时未在执行正常程序操作的页,
其中,突然断电是一种事件,在该事件期间供应到所述至少一个非易失性存储器装置的电力停止。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,执行伪程序操作的时间短于执行正常程序操作的时间。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述至少一个空白页是沿程序操作方向设置在边界页上方的页,其中,程序操作方向是执行程序操作所沿的方向。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,搜索边界页的步骤包括:
将边界页读取电压顺序地施加到第一存储器块的字线;以及
将第一存储器块的第一页确定为边界页,
其中,第一页具有有着比边界页读取电压高的阈值电压的存储器单元,其中,所述存储器单元的数量大于参考值。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,
边界页和所述至少一个空白页包括在第一存储器块中的多个页中,
所述多个页具有与其对应的多个存储器单元,
所述多个存储器单元中的每个存储器单元存储单位数据或多位数据,
参考值根据存储在所述多个存储器单元中的每个中的数据位的个数而变化。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,搜索所述至少一个空白页的步骤包括:
将空白页读取电压顺序地施加到第一存储器块的字线;以及
将第一存储器块的第一页确定为空白页,
其中,第一页具有有着比空白页读取电压高的阈值电压的存储器单元,其中,所述存储器单元的数量小于参考值。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,通过将单触发脉冲施加到与边界页和所述至少一个空白页的所述部分结合的字线来执行伪程序操作。
10.一种操作存储装置的方法,所述存储装置包括至少一个非易失性存储器装置和被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的存储器控制器,所述方法包括:
在突然断电之后,在所述至少一个非易失性存储器装置中的多个存储器块中的第一存储器块中搜索未写入数据的初始空白字线,其中,突然断电是一种事件,在该事件期间供应到所述至少一个非易失性存储器装置的电力停止;
对空白页选择性地执行伪程序操作;以及
在完成伪程序操作之后对第一存储器块执行擦除操作,
其中,空白页是结合到初始空白字线的页。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,第一存储器块包括结合到多条串选择线的多个单元串,所述方法还包括:
确定空白页是否是结合到第一存储器块的最下面的字线的页,
其中,最下面的字线是存储器块中的第一字线。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,当空白页是结合到第一存储器块的最下面的字线的页时,从最下面的字线开始,基于逐字线的方式对结合到串选择线的存储器单元顺序地执行伪程序操作。
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