[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成有源/漏区；

在所述半导体衬底上形成层间介电层，覆盖所述栅极结构；

在所述层间介电层上形成具有接触孔开口图案的硬掩膜层，所述接触孔开口图案至少包括对应所述栅极结构的接触孔开口图案以及对应所述源/漏区的接触孔开口图案；

在所述半导体衬底上形成牺牲材料层，仅露出所述硬掩膜层中对应所述源/漏区的接触孔开口图案；

以所述牺牲材料层为掩膜，部分蚀刻露出的所述层间介电层；

去除所述牺牲材料层后，完整蚀刻露出的所述层间介电层，以形成接触孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氮化钛或氮化钽，确保蚀刻剂对所述硬掩膜层的蚀刻速率高于对所述层间介电层的蚀刻速率。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度为50埃-500埃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述部分蚀刻为各向异性的干法蚀刻。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用灰化工艺或湿法剥离工艺去除所述牺牲材料层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构包括自下而上层叠的高k介电层和金属栅极材料层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述层间介电层之前，还包括形成接触孔蚀刻停止层的步骤。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述接触孔后，还包括以下步骤：在接触孔中填充金属材料以形成接触塞；执行化学机械研磨，以去除所述硬掩膜层。

9.一种采用权利要求1-8之一所述的方法制造的半导体器件。

10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求9所述的半导体器件。