[发明专利]用于处理硅晶圆的方法

权利要求书

1.一种用于处理半导体晶圆的方法，包括：

在半导体晶圆中形成含氧区，其中形成所述含氧区包括经由第一表面将氧引入到所述半导体晶圆中；

至少在所述含氧区中创建空位；以及

在退火过程中至少使所述含氧区退火以便形成氧沉淀物，其中所述氧沉淀物充当用于吸收杂质的吸杂中心，所述杂质在形成半导体晶圆中的一个或多个半导体器件的过程步骤期间被引入到所述半导体晶圆中。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述半导体晶圆是CZ、MCZ晶圆和FZ晶圆之一。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中形成所述含氧区还包括：

在另一退火过程中使所引入的氧扩散。

4.如权利要求3所述的方法，

其中在所述另一退火过程中的温度选自于1050 °C和1300 °C之间的范围，以及

其中这个另一退火过程的持续时间选自于1小时和20小时之间的范围。

5.如权利要求4所述的方法，其中在所述另一退火过程中的温度高于1100 °C。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述含氧区被形成以从所述第一表面延伸0.1和20微米之间到所述半导体晶圆中。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述含氧区被形成以从所述第一表面延伸1和5微米之间到所述半导体晶圆中。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述含氧区被形成有至少5E17原子/cm^-3的氧浓度。

9.如权利要求1所述的方法，其中引入氧包括经由所述第一表面将氧离子注入到所述半导体晶圆中。

10.如权利要求9所述的方法，其中注入氧包括PLAD注入过程。

11.如权利要求10所述的方法，

其中注入能量选自于0.5 keV和10keV之间的范围，以及

其中注入剂量选自于1E14 cm^-2和1E18 cm^-2之间的范围。

12.如权利要求1所述的方法，其中至少在所述含氧区中创建空位包括创建选自于1E17cm^-3和1E19cm^-3之间的范围的空位浓度。

13.如权利要求1所述的方法，其中创建空位包括将微粒注入到所述半导体晶圆中。

14.如权利要求13所述的方法，其中注入微粒包括经由所述第一表面或经由与所述第一表面相对的第二表面注入所述微粒。

15.如权利要求13或14中的一项所述的方法，其中所述微粒包括质子和氦离子中的至少一个。

16.如权利要求15所述的方法，

其中如果所注入的微粒是质子，则注入能量选自于1MeV和5MeV之间的范围，或

其中如果所注入的微粒是氦离子，则注入能量选自于3 MeV和10 MeV之间的范围。

17.如权利要求14所述的方法，其中注入微粒包括以5E13 cm^-2和1E15 cm^-2之间的注入剂量来注入所述微粒。

18.如权利要求2所述的方法，还包括：

在引入氧之后和在退火过程之前在所述第一表面上形成涂层。