[发明专利]半导体器件及制造图像传感器器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

图像传感器，包括在衬底中的第一像素区和第二像素区，所述第一像素区邻近所述第二像素区；

第一抗反射涂层，位于所述第一像素区的上方，所述第一抗反射涂层为第一波长范围的入射光减少反射；以及

第二抗反射涂层，位于所述第二像素区的上方，其中，所述第二抗反射涂层与所述第一抗反射涂层是不同的涂层，其中，所述第一抗反射涂层的顶面和所述第二抗反射涂层的顶面在衬底之上处于相同的高度，并且其中所述第二抗反射涂层为第二波长范围的入射光减少反射，所述第二波长范围不同于所述第一波长范围。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一抗反射涂层包括第一子层和形成在所述第一子层上方的第二子层，所述第二抗反射涂层包括第三子层和形成在所述第三子层上方的第四子层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一子层的厚度不同于所述第三子层的厚度，并且所述第二子层的厚度不同于所述第四子层的厚度。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一子层包含与所述第二子层不同的材料。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一子层包含与所述第二子层相同的材料。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，所述第一抗反射涂层包括氮化硅。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，所述第一像素区具有比所述第二像素区更大的面积。

8.一种半导体器件，包括：

衬底；

位于所述衬底的第一像素区中的第一光敏二极管；其中，所述第一像素区包括设置在所述第一光敏二极管上方的第一抗反射涂层以及设置在所述第一抗反射涂层上方并且物理接触所述第一抗反射涂层的第一滤光器；以及

位于所述衬底的第二像素区中的第二光敏二极管，其中，所述第一像素区与所述第二像素区具有不同的尺寸，其中，所述第二像素区包括设置在所述第二光敏二极管上方的第二抗反射涂层以及设置在所述第二抗反射涂层上方并且物理接触所述第二抗反射涂层的第二滤光器，其中，所述第二抗反射涂层与所述第一抗反射涂层不同。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一像素区具有在1.0微米至1.3微米之间的第一尺寸，并且所述第二像素区具有在0.8微米至1.05微米之间的第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一像素区具有比所述第二像素区更大的面积。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一像素区具有比所述第二像素区的面积大5％至100％的第一面积。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一像素区包括第一注入区并且所述第二像素区包括第二注入区，所述第二注入区与所述第一注入区不同。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第一注入区具有与所述第二注入区不同的尺寸。

14.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一像素区具有与所述第二像素区不同的形状。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述第一像素区具有八边形形状并且所述第二像素区具有正方形形状。