[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611152920.0 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108231757B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 刘剑;司徒道海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/088;H01L29/78;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
晶圆，在所述晶圆上间隔设置有多个芯片，其中，每个所述芯片均包括间隔平行设置的多个条状沟槽，相邻所述芯片中的所述条状沟槽彼此相互垂直，在每个所述芯片的每个所述条状沟槽中均形成有栅极结构。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述芯片的俯视形状为正方形。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在所述晶圆上设置有中心芯片，在所述中心芯片的四条边的外侧设置有若干周边芯片，所述周边芯片中的所述条状沟槽与所述中心芯片中的所述条状沟槽彼此相互垂直。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述芯片为沟槽型IGBT芯片。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多个芯片成阵列状排布在所述晶圆上。
6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供晶圆；
在所述晶圆上形成间隔设置的多个芯片，其中，每个所述芯片均包括间隔平行设置的多个条状沟槽，相邻所述芯片中的所述条状沟槽彼此相互垂直，在每个所述条状沟槽中形成栅极结构。
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，形成每个所述芯片的所述条状沟槽时所使用的光罩下线制版时，将任一所述芯片四周紧邻的芯片旋转90度或270度，以使相邻芯片中的所述条状沟槽彼此相互垂直。
8.如权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述芯片为沟槽型IGBT芯片。
9.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述芯片的俯视形状为正方形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
