[发明专利]非易失性存储器系统的操作方法

说明书

提供非易失性存储器系统的操作方法。该方法包含：选择存储器块的源块，基于参考电压相对于选择的源块执行单元计数，以及基于单元计数结果对源块执行回收操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年12月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2015-0178371号的优先权，其整个内容通过引用合并在此。

背景技术

与本公开一致的方法涉及半导体存储器，并且更具体而言，涉及非易失性存储器系统的操作方法。

半导体存储器是通过使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等半导体来实现的。半导体存储器设备大致分为易失性存储器设备和非易失性存储器设备。

易失性存储器设备是指断电时丢失其中存储的数据的存储器设备。易失性存储器设备包含静态随机存取存储器(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM等。非易失性存储器设备是指即使在断电时也会保持其中存储的数据的存储器设备。非易失性存储器设备包含只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除和可编程ROM(EEPROM)、闪存存储器设备、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。

尤其是，闪存存储器设备是高容量存储设备，并且被广泛用于各种领域。闪存存储器设备是非易失性存储器设备，但是将会由于各种要素而丢失其中存储的数据，各种要素诸如温度、读取干扰、编程干扰和电荷损失。因此，正在开发用于保护存储在闪存存储器设备中的数据的完整性的各种方法。

发明内容

示例实施例提供了性能和可靠性得到改善的非易失性存储器系统的操作方法。

根据示例实施例的方面，一种非易失性存储器系统的操作方法包含：选择多个存储器块中的源块；基于至少一个参考电压，相对于选择的源块执行单元计数；以及基于单元计数结果，对源块执行回收操作。

根据另一示例实施例的方面，一种非易失性存储器系统的操作方法包含：从多个存储器块选择源块；当源块的至少一个存储器单元的阈值电压高于目标编程状态的阈值电压分布范围的上限时，在第一回收执行时段期间对源块执行回收操作；以及当源块的至少一个存储器单元的阈值电压低于目标编程状态的阈值电压分布范围的上限时，在不同于第一回收执行时段的第二回收执行时段期间对源块执行回收操作。

根据另一示例实施例的方面，非易失性存储器系统的操作方法包含：选择多个存储器块中的源块；以及基于相对于源块的编程经过时间、或者基于源块被擦除之后的读取计数，对源块执行回收操作。

根据另一示例实施例的方面，一种存储器控制器的操作方法包含：选择多个存储器块中的源块；通过使用至少一个参考电压并重复执行从源块读取至少一个页面数据来相对于源块执行单元计数；纠正至少一个读取页面数据的错误；以及基于每个读取计数的单元计数结果，将纠正了错误的至少一个页面数据编程在目的地块中。存储器控制器控制包含多个存储器块的非易失性存储器设备。基于单元计数结果，特定读取计数是不同的。

根据另一示例实施例的方面，一种非易失性存储器系统的操作方法包含：从多个存储器块选择源块；基于至少一个参考电压，相对于选择的源块执行单元计数；以及基于第一和第二回收模式中的一个回收模式并基于单元计数结果，对源块执行回收操作。

根据另一示例实施例的方面，一种非易失性存储器系统的操作方法包含：监控相对于多个存储器块中的源块的错误，以确定相对于源块的错误类型；基于确定的错误类型来调整回收策略；以及使用调整的回收策略来对源块执行回收操作。

附图说明

上述和其他方面将从参考下图的以下描述变得明显，其中，同样的参考标记在各种图中指代同样的部分，除非另外指明，并且其中：

图1是示出根据示例实施例的非易失性存储器系统的框图；