[发明专利]一种太阳能电池线路板及其制备方法在审
申请号: | 201611146604.2 | 申请日: | 2016-12-13 |
公开(公告)号: | CN106784026A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 闫勇;高小君 | 申请(专利权)人: | 苏州城邦达力材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L21/48;H01L21/60 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 张海英,林波 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 线路板 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种太阳能电池线路板及其制备方法。
背景技术
太阳能为一种新型可再生可持续利用的清洁环保型能源,开发和利用太阳能成为世界各国制定可持续发展战略的重要内容,而更好的利用太阳能也是研究内容,提高太阳能的发电效率也是重要的研究课题。
发明内容
本发明的目的在于提出一种太阳能电池线路板及其制备方法,在恶劣环境下具有较好的抗氧化性和可焊性。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种太阳能电池线路板,包括:太阳能电池片及树脂基材,所述树脂基材上涂布有胶黏剂层,所述胶黏剂层上复合有铜箔,所述铜箔上蚀刻形成线路,所述线路的表面镀有防氧化镀层;所述线路与所述太阳能电池片通过低温焊锡接合。
其中,所述防氧化镀层中锌含量为0.5~25mg/m2、镍含量为0.5~10mg/m2、铬含量为0.5~8mg/m2。
其中,所述胶黏剂层包括以下重量份的组分:树脂20~100份;固化剂1~5份;助剂0.1~0.5份;填料0.1~0.5份;溶剂5~10份;所述胶黏剂层的厚度为8~20μm。
其中,所述树脂为聚氨酯、环氧树脂、丙烯酸树脂中的一种或几种的混合。
其中,所述树脂基材为聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)中的一种或几种的混合;所述树脂基材的厚度为45~125um。
其中,所述铜箔的厚度为10~45um。
所述铜箔在蚀刻形成所述线路之前进行微蚀刻处理。
上述一种太阳能电池线路板的制备方法,包括以下步骤:
步骤A:制备胶黏剂,在树脂基材上均匀涂布胶黏剂形成胶黏剂层后复合铜箔并熟化形成柔性覆铜板;
步骤B:对所述步骤A中的铜箔的光面(S面)进行微蚀刻处理,以去除铜箔的铜箔防护层,暴露出铜箔基层;
步骤C:对经所述步骤B处理后的铜箔进行蚀刻形成线路,清洗并烘干;
步骤D:在所述步骤C中的线路上电镀防氧化镀层;
步骤E:将经所述步骤D处理后的线路与太阳能电池片通过低温焊锡接合。
其中,所述步骤B中的铜箔在浓度为硫酸-双氧水微蚀刻液中蚀刻30s~60s。
其中,所述步骤C中的铜箔经贴合干膜后曝光、显影,在浓度为200~300g/L的氯化铁蚀刻液中进行蚀刻,蚀刻工艺参数为:温度为40~60℃,压力为1.5~3kg/cm2,蚀刻时间为2~4min。
本发明的有益效果为:本发明提出一种太阳能电池线路板及其制备方法,制备简单,并且在恶劣环境下具有较好的抗氧化性和可焊性。
附图说明
图1是本发明提供的一种太阳能电池线路板连接太阳能电池片的结构示意图;
图2a是本发明提供的一种太阳能电池线路板的结构示意图;
图2b是图2a中的A-A剖视图;
图2c是图2a中的一种太阳能电池线路板在蚀刻前的结构示意图;
图2d是图2c中的一种太阳能电池线路板在微蚀刻后的结构示意图;
图2e是图2d中的一种太阳能电池线路板在贴合干膜后的结构示意图;
图2f是图2e中的一种太阳能电池线路板在蚀刻出线路后的结构示意图;
图2g是图2f中的一种太阳能电池线路板在剥离干膜后的结构示意图;
图2h是图2g中的一种太阳能电池线路板在铜箔镀防氧化镀层后的结构
示意图。
图中:1-太阳能电池线路板;2-树脂基材;3-线路;41-铜箔基层;42-铜箔防护层;4-铜箔;5-干膜;6-胶黏剂层;7-防氧化镀层;8-太阳能电池片。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
如图1、图2a及图2b所示,本发明提出的一种太阳能电池线路板1,包括:太阳能电池片8及树脂基材2,树脂基材2上涂布有胶黏剂层6,胶黏剂层6上复合有铜箔4,铜箔4上蚀刻形成线路3,线路3的表面镀有防氧化镀层7;线路3与太阳能电池片8通过低温焊锡接合。该太阳能电池线路板1在恶劣环境下具有较好的抗氧化性和可焊性。
实施例
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的