[发明专利]非易失性存储器设备和操作非易失性存储器设备的方法

说明书

一种操作非易失性存储器设备的方法，包括：从NAND串中包括的多个选择晶体管当中选择第一选择晶体管；以及对第一选择晶体管的第一阈值电压执行检查操作。检查操作包括：将第一阈值电压与第一下限参考电压水平比较；以及当第一阈值电压低于第一下限参考电压水平时，对第一选择晶体管执行编程操作。当第一阈值电压等于或高于第一下限参考电压水平时，对第一阈值电压的检查操作结束。

对相关申请的交叉引用

本申请根据35 U.S.C.§119要求2015年12月11日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2015-0177371号的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及一种存储器设备，并且更具体地，涉及能够基于选择晶体管的阈值电压来检查坏块的存储器设备和存储器系统、以及操作存储器设备的方法。

背景技术

存储器设备可被用于存储数据，并且可被分类为易失性存储器设备或非易失性存储器设备。易失性存储器设备在没有供电时丢失数据，而非易失性存储器设备则不会。作为非易失性存储器设备的示例的闪速存储器设备可被用于便携式电话、数码相机、个人数字助理(PDA)、可运输计算机设备、固定计算机设备和其他设备。

非易失性存储器设备具有选择晶体管，其阈值电压分布由于编程/擦除周期、随机劣化等而随时间改变。选择晶体管的阈值电压分布的改变可能使得非易失性存储器设备的性能劣化。可以通过使用片上操作来对非易失性存储器设备内的选择晶体管的阈值电压执行检查操作，以检查坏存储块。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种操作非易失性存储器设备的方法。所述方法包括：从NAND串中包括的多个选择晶体管当中选择第一选择晶体管；以及对第一选择晶体管的第一阈值电压执行第一检查操作。执行第一检查操作包括：将第一阈值电压与第一下限参考电压水平比较；以及当第一阈值电压低于第一下限参考电压水平时，对第一选择晶体管执行编程操作。当第一阈值电压等于或高于第一下限参考电压水平时，对第一阈值电压的第一检查操作结束。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种操作非易失性存储器设备的方法。所述非易失性存储器设备包括彼此可独立控制的第一存储器平面和第二存储器平面。第一存储器平面和第二存储器平面中的每个包括多个存储块，并且多个存储块中的每个包括多个NAND串。所述方法包括：从第一存储器平面和第二存储器平面中的每个的第一存储块的第一NAND串中包括的多个选择晶体管当中选择第一选择晶体管；检查第一存储器平面和第二存储器平面中的每个的第一选择晶体管的第一阈值电压是否在第一参考电压范围内；当第一存储器平面的第一选择晶体管的第一阈值电压不在第一参考电压范围内时，将第一存储器平面的第一存储块处理为坏块；以及当第二存储器平面的第一选择晶体管的第一阈值电压不在第一参考电压范围内时，将第二存储器平面的第一存储块处理为坏块。当第一存储器平面的第一存储块和第二存储器平面的第一存储块两者被处理为坏块时，跳过对多个选择晶体管中的剩余选择晶体管的检查操作。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种操作非易失性存储器设备的方法。所述非易失性存储器设备包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块，所述多个存储块中的每个包括多个串，并且所述多个串中的每个包括多个串选择晶体管。所述方法包括：选择多个预定序列中的序列，其中，所述序列指示要按照第一选择晶体管、第二选择晶体管和第三选择晶体管的顺序来检查同一串的第一选择晶体管、第二选择晶体管和第三选择晶体管；对第一选择晶体管的阈值电压执行第一检查操作；对第二选择晶体管的阈值电压执行第二检查操作；以及对第三选择晶体管的阈值电压执行第三检查操作。第一选择晶体管是上串选择晶体管，第二选择晶体管是下串选择晶体管，以及第三选择晶体管是接地选择晶体管。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例性实施例，将更加清楚地理解上面和其他特征。

图1是根据本发明构思的示例性实施例的存储器设备的框图。