[发明专利]电容触摸屏玻璃传感器中替换钼铝钼金属膜层的加工工艺

说明书

技术领域

本发明涉及电容触摸屏加工工艺领域，具体是一种电容触摸屏玻璃传感器中替换钼铝钼金属膜层的加工工艺。

背景技术

电容触摸屏可实现多点和准确的触摸感应，而且结构简单、透光率≥88%，是当前显示触控技术发展的主流方向。玻璃传感器是电容触摸屏的重要部件，现有玻璃传感器生产流程中，将钼铝钼通过溅射的方式整面镀在玻璃传感器上，而后将镀好钼铝钼的玻璃传感器附着上二氧化硅，最后用曝光、显影及化学蚀刻的方式制成线路。这种工艺的缺点是产品镀膜次数多且面积大，工艺繁多且生产成本较高。

发明内容本发明的目的是提供一种电容触摸屏玻璃传感器中替换钼铝钼金属膜层的加工工艺，以解决现有技术玻璃传感器加工工艺镀膜次数多、成本高的问题。

为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案为：

电容触摸屏玻璃传感器中替换钼铝钼金属膜层的加工工艺，其特征在于：包括以下步骤：

（1）、在玻璃基板上真空溅射ITO薄膜层，溅射时真空度保持在0.01~0.5Pa，温度保持在220~300℃；

（2）、在步骤（1）得到的ITO薄膜层上涂布光刻胶，使光刻胶覆盖ITO薄膜层，然后进行预烘，预烘的温度为80~90℃；

（3）、对光刻胶进行曝光，并在光刻胶上光刻电极和走线图形，曝光条件为：采用紫外光，光通量为100~120mj，电极和走线图案的光罩是铬版，距离玻璃基板的尺寸为100um~200um；

（4）、采用NaOH溶液对光刻胶显影并硬化，NaOH溶液的浓度为0.1~0.08MOL/L，温度为20~35℃，时间为50秒~120秒，硬化时的温度为100~120℃，时间30~35分钟；

（5）、蚀刻ITO薄膜层，形成ITO薄膜层的电极和走线，蚀刻使用材料为HCL和HO2的混合液，其中HCL质量占混合液的60%~65%，HO2质量占混合液的40%~35%，蚀刻时温度为40~45℃,时间为120~220秒；

（6）、采用NaOH溶液去除光刻胶，留出ITO薄膜层电极及走线，NaOH溶液的浓度为2.0~1.5MOL/L，温度为40~45℃，时间为100~120秒，然后用纯水漂洗、风干；

（7）、在ITO薄膜层上不镀金属的部分丝印蓝膜，使蓝膜覆盖住不镀金属的部分，篮膜丝印厚度＞30um，然后进行烘烤，烘烤温度为140~160℃，时间为20~40min，烘烤完毕后，取出冷却，恢复到常温；

（8）、使用碱性除油剂清洗玻璃基板表面，以去除油脂，碱性除油剂的浓度为40~60g/L，温度为40~45℃，时间为300秒~420秒，然后用纯水漂洗、风干；

（9）、使用活化剂活化玻璃表面，以增加洁净度，活化剂浓度为24~36ml/L，温度为30~35℃，时间为200秒~240秒，然用纯水漂洗、风干；

（10）、使用化学镍溶液在玻璃基板电极和走线位置化学沉积镀镍金属，化学镍溶液浓度为6.5~7.0g/L，温度为50~60℃，时间为200秒~220秒，然后用纯水漂洗、风干；

（11）、使用化学薄金溶液在玻璃基板镀有镍金属的电极和走线位置化学沉积镀金金属，化学薄金溶液的浓度为18~20ml/㎡，温度为60~65℃，时间为220秒~250秒，然后用纯水漂洗、风干后固化，固化温度为180~200℃，时间为50~60分钟；

（12）、按照产品图纸尺寸，使用钻石导轮切割、裂片出所需大小，以去除边角料，制成成品。

所述的电容触摸屏玻璃传感器中替换钼铝钼金属膜层的加工工艺，其特征在于：步骤（1）中，溅射得到的ITO薄膜层的厚度为10nm~20nm。

所述的电容触摸屏玻璃传感器中替换钼铝钼金属膜层的加工工艺，其特征在于：步骤（2）中，光刻胶的厚度为1600~2000nm，均匀性保持在5%以内。

所述的电容触摸屏玻璃传感器中替换钼铝钼金属膜层的加工工艺，其特征在于：步骤（8）中，碱性除油剂型号为UE-3300，步骤（9）中，活化剂型号为UE-2000，步骤（10）中，化学镍溶液型号为UE-600，步骤（11）中，化学薄金溶液型号为 UE-100。

本发明将玻璃传感器的电极和走线位置空出，其余部分丝印蓝膜遮盖，最后在电极和走线位置镀上镍和金，烘烤成型。本发明使产品工艺减少，良率增高，并且能够降低材料和人工成本。

附图说明

图1为本发明原理示意图。

具体实施方式

如图1所示，电容触摸屏玻璃传感器中替换钼铝钼金属膜层的加工工艺，包括以下步骤：