[发明专利]具有防滑和防旋转特征的晶片支撑基座

说明书

本发明涉及具有防滑和防旋转特征的晶片支撑基座。提供了一种用于半导体处理的装置，其包括基座，所述基座包括晶片支撑表面，所述晶片支撑表面包括多个台和凹槽结构。每个台可以被界定在两个或更多个凹槽之间，每个台可以包括多个台侧壁，台侧壁至少部分地与凹槽中的一个以及与基本上是平坦的表面的台顶表面相交，台顶表面可以彼此基本上共面，并且台顶表面可以被配置为在半导体操作期间支撑晶片。

技术领域

发明总体上涉及半导体领域，更具体涉及具有防滑和防旋转特征的晶片支撑基座。

背景技术

在半导体处理操作期间，半导体晶片可暴露于半导体处理室内的各种半导体处理环境。除了其他变化的参数之外，这样的环境还可以包括不同水平的室压强、不同种类的反应物气体、不同的温度、以及等离子体的存在或不存在。

发明内容

在一种实施方式中，可以提供一种用于半导体处理的装置。所述装置可以包括：基座，其包括晶片支撑表面，所述晶片支撑表面包括多个台(mesa)和凹槽结构。每个台可以被界定(bracket)在两个或更多个凹槽之间，每个台可以包括多个台侧壁，每个台侧壁至少部分地与所述凹槽中的一个以及与基本上是平坦表面的台顶表面相交，所述台顶表面基本上彼此共面，并且所述台顶表面可以被配置为在半导体操作期间支撑晶片。

在一些实施方式中，所述基座可以不包括向所述凹槽或所述台供应气体的特征。

在一些实施方式中，所述凹槽结构可以包括平行于第一轴线并且沿着第一轴线排列的第一线性阵列的凹槽和平行于第二轴线并且沿着第二轴线排列的第二线性阵列的凹槽，所述第一轴线基本上正交于所述第二轴线。

在一些这样的实施方式中，所述凹槽结构可以包括具有第一深度和第一宽度的多个深凹槽以及具有第二深度和第二宽度的多个浅凹槽。在这样的实施方式中，所述第一线性阵列的凹槽可以包括以下项中的一个或多个：两个或更多个深凹槽和两个或更多个浅凹槽，所述第二线性阵列的凹槽可以包括以下项中的一个或多个：两个或更多个深凹槽和两个或更多个浅凹槽，所述第二深度可以小于所述第一深度，以及所述第二宽度可以小于所述第一宽度。

在一些这样的另外的实施方式中，两个或更多个深凹槽可以被包括在所述第一线性阵列中，两个或更多个深凹槽可以被包括在所述第二线性阵列中，两个或更多个浅凹槽可以被包括在所述第一线性阵列中，以及两个或更多个浅凹槽可以被包括在所述第二线性阵列中。

在一些这样的另外的实施方式中，所述第一线性阵列中的一个或多个浅凹槽可以被包括在所述第一线性阵列中的每对相邻的深凹槽之间，以及所述第二线性阵列中的一个或多个浅凹槽可以被包括在所述第二线性阵列中的每对相邻的深凹槽之间。

在一些这样的另外的实施方式中，每个线性阵列中的所述深凹槽可以与该线性阵列中的相邻的深凹槽等距地间隔开，所述第一线性阵列中的三个浅凹槽可以位于所述第一线性阵列中的每对深凹槽之间并且可以在所述第一线性阵列中的每对深凹槽之间基本上等距地间隔开，以及所述第二线性阵列中的三个浅凹槽可以位于所述第二线性阵列中的每对深凹槽之间并且可以在所述第二线性阵列中的每对深凹槽之间基本上等距地间隔开。

在其他的这样的实施方式中，每个凹槽可以具有与其他凹槽的深度和宽度基本上相等的深度和宽度，并且沿着每个轴线排列的每个凹槽可以与沿着相同轴线排列的其他凹槽等距地间隔开。

在一些实施方式中，所述第一线性阵列的凹槽中的所述凹槽可以彼此基本上等距地间隔开，并且所述第二线性阵列的凹槽中的所述凹槽可以彼此基本上等距地间隔开。

在一些实施方式中，每个台可以包括多个上边缘，所述上边缘至少部分地形成该台的台顶表面的周边，每个上边缘可以是台顶表面和台侧壁的相交线，并且一个或多个上边缘可以是圆形的或倒角的。

在一些实施方式中，基本上所有所述台的每个上边缘可以是圆形的或倒角的。