[发明专利]具有防滑和防旋转特征的晶片支撑基座

权利要求书

1.一种用于半导体处理的装置，所述装置包括：

基座，其包括晶片支撑表面，所述晶片支撑表面包括多个台和凹槽结构，其中：

每个台被界定在两个或更多个凹槽之间，

每个台包括多个台侧壁，每个台侧壁至少部分地与所述凹槽中的一个以及与基本上是平坦表面的台顶表面相交，

所述台顶表面基本上彼此共面，并且

所述台顶表面被配置为在半导体操作期间支撑晶片，

所述凹槽结构包括平行于第一轴线并且沿着第一轴线排列的第一线性阵列的凹槽和平行于第二轴线并且沿着第二轴线排列的第二线性阵列的凹槽，

所述第一轴线基本上正交于所述第二轴线，

所述凹槽结构包括具有第一深度和第一宽度的多个深凹槽以及具有第二深度和第二宽度的多个浅凹槽，

所述第一线性阵列的凹槽包括以下项中的一个或多个：两个或更多个深凹槽和两个或更多个浅凹槽，

所述第二线性阵列的凹槽包括以下项中的一个或多个：两个或更多个深凹槽和两个或更多个浅凹槽，

所述第二深度小于所述第一深度，以及

所述第二宽度小于所述第一宽度。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述基座不包括向所述凹槽或所述台供应气体的特征。

3.根据权利要求1所述的装置，其中：

两个或更多个深凹槽被包括在所述第一线性阵列中，

两个或更多个深凹槽被包括在所述第二线性阵列中，

两个或更多个浅凹槽包括在所述第一线性阵列中，以及

两个或更多个浅凹槽包括在所述第二线性阵列中。

4.根据权利要求3所述的装置，其中：

所述第一线性阵列中的一个或多个浅凹槽包括在所述第一线性阵列中的每对相邻的深凹槽之间，以及

所述第二线性阵列中的一个或多个浅凹槽包括在所述第二线性阵列中的每对相邻的深凹槽之间。

5.根据权利要求4所述的装置，其中：

每个线性阵列中的所述深凹槽与该线性阵列中的相邻的深凹槽等距地间隔开，

所述第一线性阵列中的三个浅凹槽位于所述第一线性阵列中的每对深凹槽之间并且在所述第一线性阵列中的每对深凹槽之间基本上等距地间隔开，以及

所述第二线性阵列中的三个浅凹槽位于所述第二线性阵列中的每对深凹槽之间并且在所述第二线性阵列中的每对深凹槽之间基本上等距地间隔开。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的装置，其中：

所述第一线性阵列的凹槽中的所述凹槽彼此基本上等距地间隔开，并且

所述第二线性阵列的凹槽中的所述凹槽彼此基本上等距地间隔开。

7.根据权利要求3至5中任一项所述的装置，其中：

每个台包括多个上边缘，所述上边缘至少部分地形成该台的台顶表面的周边，

每个上边缘是台顶表面和台侧壁的相交线，并且

所述上边缘中的一个或多个是以下之一：圆形的和倒角的。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，基本上所有所述台的每个上边缘是以下之一：圆形的和倒角的。

9.根据权利要求3至5中任一项所述的装置，其中所述凹槽中的一个或多个延伸到所述基座的外周边。

10.根据权利要求3至5中任一项所述的装置，其中所述晶片支撑表面涂覆有氧化层。