[发明专利]一种多孔纳米二硫化三镍薄膜电极的制备方法有效
| 申请号： | 201611122791.0 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106683905B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 肖婷;李锦;谭新玉;向鹏;姜礼华 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 蒋悦 |
| 地址： | 443002*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硫化 镍薄膜 电极 制备 直接生长 泡沫镍 镍源 大规模工业化生产 超级电容器电极 多孔纳米结构 电解质 泡沫镍表面 循环稳定性 倍率性能 充分接触 多孔纳米 基底结合 泡沫镍基 溶剂热法 电荷 硫化剂 镍电极 乙二醇 溶剂 基底 硫脲 传递 生长 应用 | ||
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