[发明专利]一种氧化镍钛透明导电薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201910461194.8 申请日: 2019-05-29
公开(公告)号: CN110797138A 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 孙冬兰;王帅;马佳 申请(专利权)人: 天津科技大学
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300457 天津市滨*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种氧化镍钛透明导电薄膜的制备方法。本发明的氧化镍钛透明导电薄膜主要包括PET膜、氧化镍薄膜、掺杂在氧化镍薄膜中的少量氧化钛。PET膜为基底,氧化镍钛薄膜为透明导电薄膜。掺杂于氧化镍薄膜中的少量氧化钛提高了氧化镍的离子储存能力,可以用于实际生活中。
搜索关键词: 氧化镍 透明导电薄膜 氧化镍薄膜 氧化钛 掺杂 离子储存 钛薄膜 基底 制备
【主权项】:
1.一种氧化镍钛透明导电薄膜主要包括PET膜、氧化镍钛薄膜。/n
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