[发明专利]量子点发光二极管装置及其制造方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括基板、依次层叠设于所述基板的空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括形成于所述空穴传输层和量子点发光层之间的空穴型平坦化层，所述量子点发光层包括依次叠设的第一量子点亚层、第二量子点亚层和第三量子点亚层，所述第一量子点亚层和所述第三量子点亚层带负电荷，所述第二量子点亚层带正电荷，所述量子点发光层由所述第一量子点亚层、所述第二量子点亚层和所述第三量子点亚层通过表面电荷吸附的自组装方式制备形成。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层为RGB发光层结构，所述第一量子点亚层为带负电荷的蓝光发光层，所述第二量子点亚层为带正电荷的绿光发光层，所述第三量子点亚层为带负电荷的红光发光层。

3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一量子点亚层、第二量子点亚层和第三量子点亚层均包含若干个纳米晶粒和形成于所述纳米晶粒表面的有机配体。

4.根据权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述纳米晶粒为单一材料棒，或由核和壳体组成的多层结构，或由核、钝化层和壳体组成的多层结构，所述单一材料棒、核、钝化层和壳体的材料为金属、金属合金、金属氧化物、绝缘体或半导体材料。

5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述纳米晶粒材料选自IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIII、IB、IIB、IIIA、IVA、VA族元素。

6.根据权利要求5所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述纳米晶粒材料选自Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Tc、Ru、Mo、Rh、W、Au、Pt、Pd、Ag、Co、Cd、Hf、Ta、Re、Os、Ir、Hg中的至少一种。

7.根据权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述有机配体为带有C00-或/和NH4+官能团的有机配体。

8.根据权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一量子点亚层的所述有机配体为聚(甲基丙烯酸-co-甲基丙烯酸十八酯)-(乙醇胺-乙二胺叶酸)；所述第二量子点亚层的所述有机配体为甲基丙烯酸二甲氨乙酯；所述第三量子点亚层的所述有机配体为聚(甲基丙烯酸-co-甲基丙烯酸十八酯)-(乙醇胺-乙二胺叶酸)。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一量子点亚层、第二量子点亚层和第三量子点亚层的厚度为1-10nm。

10.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴型平坦化层是厚度为1-100nm的高分子薄膜，所述高分子薄膜的材料为聚(N,N’二苯基-N,N’二(3-甲基苯基-1,1,-联苯-4,4’-二胺))。

11.一种量子点发光二极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板，并在所述基板上制备形成空穴传输层；

在所述空穴传输层上制备形成空穴型平坦化层；

在所述空穴型平坦化层上依次涂覆带负电荷的第一量子点亚层、带正电荷的第二量子点亚层和带负电荷的第三量子点亚层，所述第一量子点亚层、第二量子点亚层和第三量子点亚层通过表面电荷静电吸附的自组装方式制备形成量子点发光层；

在所述量子点发光层上依次制备形成电子传输层和阴极。