[发明专利]一种对闪存单元收缩验证的方法

说明书

本发明提供了一种对闪存单元收缩验证方法，应用于芯片版图中对闪存单元的收缩处理，芯片版图包括多个原闪存单元组成的多个原存储阵列，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、设置一收缩处理的新闪存单元，并将新闪存单元替换芯片版图上的原闪存单元，以形成多个新存储阵列；步骤S2、提供一组预定器件对每个原存储阵列与对应的每个新存储阵列之间形成的预定面积差进行填充，以形成一预定规格芯片版图；步骤S3、根据预定规格芯片版图制备对应的芯片。其技术方案的有益效果在于，对原芯片版图中的原闪存单元收缩处理后的闪存单元进行验证，采用虚拟组件填充原存储阵列和新存储阵列之间形成的面积差，以实现对新存储阵列的整体测试。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种对闪存单元收缩验证的方法。

背景技术

随着闪存芯片容量的扩大，需要在单位面积中置入更多的闪存单元，针对这种改变往往需要对原有的闪存单元进行尺寸收缩，并使用收缩后的闪存单元组成新的存储阵列，由于新的存储阵列必须进过验证，如果仅仅对存储阵列进行验证只能获得闪存单元的性能，无法获得存储阵列至于芯片中时的整体性能数据，如果为新的存储阵列重新设计芯片后进行流片验证虽然能获得新设计的存储整列所在芯片的整体性能，但是要耗费大量时间和成本。

发明内容

针对现有技术中对不同规格的闪存单元验证存在的上述问题，现提供一种旨在实现于同一芯片版图上对闪存单元进行收缩，以及对收缩后的闪存单元构成的存储阵列进行验证的对闪存单元收缩验证的方法。

具体技术方案如下：

一种对闪存单元收缩验证的方法，应用于芯片版图中对闪存单元的收缩处理，所述芯片版图包括多个原闪存单元组成的多个原存储阵列，其中，

包括以下步骤：

步骤S1、设置一收缩处理的新闪存单元，并将所述新闪存单元替换所述芯片版图上的所述原闪存单元，以形成多个新存储阵列；

步骤S2、提供一组预定器件对每个所述原存储阵列与对应的每个所述新存储阵列之间形成的预定面积差进行填充，以形成一预定规格芯片版图；

步骤S3、根据所述预定规格芯片版图制备对应的芯片。

优选的，所述预定器件为虚拟组件。

优选的，所述虚拟组件分别填充于所述新存储阵列的四周。

优选的，每个所述新存储阵列的宽度边缘均设置有源端间隔；

所述新存储阵列宽度边的所述虚拟组件设置于相邻的所述源端间隔之间。

优选的，每个所述新存储阵列的长度边缘均设置有与长度边相等的所述虚拟组件。

优选的，每上下相邻的所述新存储阵列之间设置有源端扩散层。

优选的，所述源端扩散层的宽度可调节设置。

优选的，每左右相邻的所述新存储阵列之间设置有字线间隔层。

上述技术方案具有如下优点或有益效果：对原芯片版图中的原闪存单元收缩处理后的闪存单元进行验证，采用预定器件填充原存储阵列和新存储阵列之间形成的面积差，以实现对新存储阵列的整体测试。

附图说明

参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。

图1为本发明一种对闪存单元收缩验证的方法实施例的流程图。

具体实施方式