[发明专利]一种对闪存单元收缩验证的方法

权利要求书

1.一种对闪存单元收缩验证的方法，应用于芯片版图中对闪存单元的收缩处理，所述芯片版图包括多个原闪存单元组成的多个原存储阵列，其特征在于，

包括以下步骤：

步骤S1、设置一收缩处理的新闪存单元，并将所述新闪存单元替换所述芯片版图上的所述原闪存单元，以形成多个新存储阵列；

步骤S2、提供一组预定器件对每个所述原存储阵列与对应的每个所述新存储阵列之间形成的预定面积差进行填充，以形成一预定规格芯片版图；

其中，所述预定器件为虚拟器件；

步骤S3、根据所述预定规格芯片版图制备对应的芯片；

步骤S4、对上述对应的芯片进行整体测试验证。

2.根据权利要求1所述的对闪存单元收缩验证的方法，其特征在于，所述虚拟器件分别填充于所述新存储阵列的四周。

3.根据权利要求1所述的对闪存单元收缩验证的方法，其特征在于，每个所述新存储阵列的宽度边缘均设置有源端间隔；

所述新存储阵列宽度边缘的所述虚拟器件设置于相邻的所述源端间隔之间。

4.根据权利要求1所述的对闪存单元收缩验证的方法，其特征在于，每个所述新存储阵列的长度边缘均设置有与长度边相等的所述虚拟器件。

5.根据权利要求4所述的对闪存单元收缩验证的方法，其特征在于，每上下相邻的所述新存储阵列之间设置有源端扩散层。

6.根据权利要求5所述的对闪存单元收缩验证的方法，其特征在于，所述源端扩散层的宽度可调节设置。

7.根据权利要求1所述的对闪存单元收缩验证的方法，其特征在于，每左右相邻的所述新存储阵列之间设置有字线间隔层。