[发明专利]半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面自下至上依次形成第一多晶硅层及第一介质层；

刻蚀所述第一介质层及第一多晶硅层，形成暴露出所述半导体衬底的沟槽；

在所述沟槽中形成填充结构；

在所述第一介质层及所述填充结构上形成第二多晶硅；

刻蚀所述第二多晶硅层，暴露出所述填充结构及所述填充结构周围的部分所述第一介质层；

去除所述填充结构。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述填充结构的步骤包括：

形成一填充层，所述填充层完全填充所述沟槽，并覆盖所述第一介质层；

化学机械研磨所述填充层，去除所述第一介质层上的所述填充层，形成所述填充结构，且所述填充结构与所述第一介质层之间形成平坦的表面。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述填充层，所述填充层的材料为二氧化硅。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一多晶硅层的厚度为

5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一介质层包括自下至上依次层叠的一氧化硅层和一氮化硅层。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为所述氮化硅层的厚度为

7.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二多晶硅层的厚度为

8.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括：自下而上依次在所述第一介质层与所述第二多晶硅层之间形成第二介质层和覆盖层。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述覆盖层的材料为硅化钨。

10.如权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述覆盖层的厚度为

11.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二介质层的材料为正硅酸乙酯，所述第二介质层的厚度为

12.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，刻蚀所述第二介质层、所述覆盖层及所述第二多晶硅层的步骤包括：

形成第一图案化的光阻，所述第一图案化的光阻覆盖部分所述第二介质层；

以所述第一图案化的光阻为掩膜，采用等离子体刻蚀工艺刻蚀所述第二介质层、所述覆盖层及所述第二多晶硅层，暴露出所述填充结构及所述填充结构周围的部分所述第一介质层。

13.如权利要求12所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，去除所述填充结构的步骤包括：

形成第二图案化的光阻，所述第二图案化的光阻覆盖暴露出的所述第一介质层；

以所述第二图案化的光阻为掩膜，采用等离子体刻蚀工艺去除所述填充结构。

14.如权利要求13所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括：去除所述第一图案化的光阻及所述第二图案化的光阻。