[发明专利]垂直存储器装置有效
申请号: | 201611067114.3 | 申请日: | 2016-11-23 |
公开(公告)号: | CN106910742B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 尹石重;李星勋;韩智勋;郑容沅;曹盛纯 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L27/11568;H01L27/11578 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;田野 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 存储器 装置 | ||
1.一种垂直存储器装置,所述垂直存储器装置包括:
栅极线结构,包括在基本上垂直于基底的顶表面的第一方向上彼此分隔开的多个栅极线,多个栅极线中的每一个在基本上平行于基底的顶表面的第二方向上延伸;
垂直沟道结构,在第一方向上延伸穿过多个栅极线;
多个延伸栅极线,多个延伸栅极线中的每一个从多个栅极线中的一个在第二方向上的边缘部延伸;
第一台阶图案结构,包括多个第一台阶层,多个第一台阶层中的每一个包括多个延伸栅极线中的距基底第n-1个延伸栅极线和多个延伸栅极线中的距基底第n个延伸栅极线,n是等于或大于2的数字;
第二台阶图案结构,接触第一台阶图案结构的侧壁并包括多个第二台阶层,多个第二台阶层中的每一个包括多个延伸栅极线中的距基底第n-1个延伸栅极线和多个延伸栅极线中的距基底第n个延伸栅极线,多个延伸栅极线的第n个延伸栅极线中的每一个在它的在第二方向上的端部处包括凹部,多个延伸栅极线的第n-1个延伸栅极线中的每一个包括暴露部,所述暴露部被直接在多个延伸栅极线的第n-1个延伸栅极线中的各个延伸栅极线上方的多个延伸栅极线的第n个延伸栅极线中的一个的凹部暴露;以及
绝缘中间层,覆盖栅极线结构、垂直沟道结构、第一台阶图案结构和第二台阶图案结构,
其中,多个延伸栅极线的第n-1个延伸栅极线的暴露部的面积不同,
其中,多个延伸栅极线的第n-1个延伸栅极线的暴露部中的每一个具有圆形拐角,圆形拐角与第一台阶图案结构和第二台阶图案结构之间的界面相邻,并与多个延伸栅极线中的第n-1个延伸栅极线的暴露部中的每一个在第二方向上的边缘分隔开,使得绝缘中间层填充第一台阶图案结构和第二台阶图案结构之间的边界区域而没有空隙。
2.如权利要求1所述的垂直存储器装置,其中,多个延伸栅极线中的第n-1个延伸栅极线的暴露部在基本上垂直于第二方向的第三方向上的宽度随着多个延伸栅极线的第n-1个延伸栅极线中的每一个在第一方向上的高度的增大而减小。
3.如权利要求1所述的垂直存储器装置,其中,栅极线结构在基本上垂直于第二方向的第三方向上具有第一宽度,第一台阶图案结构和第二台阶图案结构在第三方向上的宽度的总和基本上等于第一宽度。
4.如权利要求3所述的垂直存储器装置,其中,多个延伸栅极线中的第n-1个延伸栅极线的暴露部的面积随着多个延伸栅极线的第n-1个延伸栅极线中的每一个在第一方向上的高度的增大而减小。
5.如权利要求1所述的垂直存储器装置,其中,多个第一台阶层中的每个与多个延伸栅极线的第n-1个延伸栅极线的暴露部的圆形拐角中的一个相邻的侧壁具有弯曲的形状。
6.如权利要求1所述的垂直存储器装置,所述垂直存储器装置还包括多个绝缘层,其中,多个绝缘中的每一个位于栅极线中的在第一方向上相邻的第一栅极线和第二栅极线之间,并位于延伸栅极线中的在第一方向上相邻的第一延伸栅极线和第二延伸栅极线之间。
7.如权利要求1所述的垂直存储器装置,其中,栅极线结构、第一台阶图案结构和第二台阶图案结构包括栅极结构,垂直存储器装置包括在基本上垂直于第二方向的第三方向上彼此分隔开的多个栅极结构。
8.如权利要求7所述的垂直存储器装置,所述垂直存储器装置还包括位于栅极结构中的在第三方向上相邻的第一栅极结构和第二栅极结构之间的开口,其中,开口在第二方向上延伸。
9.如权利要求8所述的垂直存储器装置,其中,栅极结构中的第一栅极结构和第二栅极结构相对于开口对称。
10.如权利要求7所述的垂直存储器装置,其中,多个延伸栅极线的第n-1个延伸栅极线的暴露部在第三方向上的宽度随着多个延伸栅极线的第n-1个延伸栅极线中的每一个的在第一方向上的高度的增大而减小。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的