[发明专利]一种微纳结构减反膜的制作方法及显示装置有效
| 申请号： | 201611046277.3 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN106526716B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 查国伟 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B1/118 | 分类号： | G02B1/118;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微纳结构 显示装置 二氧化硅层 成核点 石墨烯 扩散 基板 制作 二氧化硅层表面 蜂巢 下表面形状 工艺步骤 工艺成本 生长 反效果 晶格状 六角形 上表面 生长基 下表面 原子量 渐变 角形 坑洞 | ||
1.一种微纳结构减反膜的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
在所述基板上形成一二氧化硅层，所述二氧化硅层表面有多个坑洞，用于提供减反膜的成核点；
在所述二氧化硅层上形成一六角形呈蜂巢晶格状的石墨烯；
以所述石墨烯为生长基底，在多个所述成核点中形成所述减反膜的下表面，使得所述下表面形状为六角形，并通过渐变生长的方式使得所述减反膜的扩散原子的扩散长度与扩散原子量随着生长时间的延长而逐渐减少，以形成所述减反膜的上表面。
2.根据权利要求1所述的微纳结构减反膜的制作方法，其特征在于，所述渐变生长的方式包括调节生长温度和控制生长源浓度。
3.根据权利要求1所述的微纳结构减反膜的制作方法，其特征在于，所述减反膜的材料为氧化锌或硅。
4.根据权利要求1所述的微纳结构减反膜的制作方法，其特征在于，可通过化学气相沉积法、高温退火碳化硅外延法或金属单晶表面外延法形成所述石墨烯。
5.根据权利要求1所述的微纳结构减反膜的制作方法，其特征在于，所述上表面的形状为六角形或圆形。
6.根据权利要求5所述的微纳结构减反膜的制作方法，其特征在于，所述下表面的面积大于所述上表面的面积。
7.根据权利要求1所述的微纳结构减反膜的制作方法，其特征在于，所述下表面的直径为100-900纳米。
8.根据权利要求1所述的微纳结构减反膜的制作方法，其特征在于，所述下表面与所述上表面之间的距离为100-1000纳米。
9.一种显示装置，其特征在于，包括一种微纳结构减反膜，其制作方法包括：
提供一基板；
在所述基板上形成一二氧化硅层，所述二氧化硅层表面有多个坑洞，用于提供减反膜的成核点；
在所述二氧化硅层上形成一六角形呈蜂巢晶格状的石墨烯；
以所述石墨烯为生长基底，在多个所述成核点中形成所述减反膜的下表面，使得所述下表面形状为六角形，并通过渐变生长的方式使得所述减反膜的扩散原子的扩散长度与扩散原子量随着生长时间的延长而逐渐减少，以形成所述减反膜的上表面。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述渐变生长的方式包括调节生长温度和控制生长源浓度。
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