[发明专利]一种正装芯片加工工艺在审

专利信息
申请号: 201611027104.7 申请日: 2016-11-22
公开(公告)号: CN106803530A 公开(公告)日: 2017-06-06
发明(设计)人: 涂波 申请(专利权)人: 涂波
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 代理人: 陈正兴
地址: 637874 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 加工 工艺
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种正装芯片加工工艺。

背景技术

LED芯片是一种固态的半导体器件,LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。也称为led发光芯片,是led灯的核心组件,也就是指的P-N结。其主要功能是:把电能转化为光能,芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的。

现有的正装LED芯片是先点固晶胶再将芯片固晶在陶瓷板、玻璃、或铝基板上然后经过烘烤固定芯片位置,而且基板线路需要先做好,再绑定焊线封装。可靠性较低,不能减少光衰,不能增强光效,成本较高、生产效率较低。

发明内容

有鉴于此,本发明目的是提供一种有效的提高LED的可靠性,减少光衰,增强光效,降低成本和提高生产效率的正装芯片加工工艺。

为了解决上述技术问题,本发明的技术方案是:

一种正装芯片加工工艺,包括以下步骤:

1)将导热基板刮涂锡膏或者镀锡,再用固晶机固晶经过回流焊使LED芯片与导热板形成共晶粘接;

2)再以旋涂或刮涂的方式给基板上胶,然后溅镀导电线路层,再以镭雕的方式去除溅镀层多余的导电层留下需要的线路导电;

3)以共晶的方式固定芯片,在金属固晶板上点上锡膏固晶再回流焊;

4)以旋涂或者刮涂的方式在芯片面涂胶水,采用旋涂或者刮涂方式;

5)真空溅镀导电层,CAD生成线路图,以精密的镭射雕刻导线连接点,再SMT回流焊使芯片与溅镀层达到共晶;

6)多层导线可重复步骤1)-步骤5)便能做到多层导线电路;

7)最终胶水添加荧光粉或者导热分进行封装测试。

进一步的,所述步骤5)中真空溅镀导电层的镀层可以先镀锡再镀铝或者铜。

进一步的,所述步骤1中的导热基板为玻璃或金属或陶瓷材料制成。

进一步的,所述步骤4)所述芯片表面涂胶在5遍或遍以上。

本发明技术效果主要体现在以下方面:将LED芯片以共晶的方式固定芯片在导热基板上,以溅镀方式再镭雕出线路,此方式可以提高芯片与基板之间的传热速率散热更好;可用导热基板做COB等高瓦数免焊线工艺;能够在连板的导热基板上(玻璃、金属、陶瓷等)裸板上直接以固晶胶固晶或者共晶;整个工艺流程能够减少光衰,增强光效,降低成本和提高生产效率。

具体实施方式

以下对本发明的具体实施方式作进一步详述,以使本发明技术方案更易于理解和掌握。

一种正装芯片加工工艺,是先将导热基板刮涂锡膏或者镀锡,再用固晶机固晶经过回流焊使LED芯片与导热板形成共晶粘接,提升芯片与基板之间的导热速率;再以旋涂或刮涂的方式给基板上胶,以保证胶面与芯片面保持水平面,然后溅镀导电线路层,再以镭雕的方式去除溅镀层多余的导电层留下需要的线路导电,我们留下的导电层还可以帮助LED芯片更好的导热、散热,经过回流焊使溅镀线路层与芯片的电极形成共晶提高导电效率;以共晶的方式固定芯片,在金属固晶板上点上锡膏固晶再回流焊,从而达到共晶效果固定芯片,提高散热速率,降低热对LED芯片的损伤提高光效,对产品有更高的可靠性;以旋涂或者刮涂的方式在芯片5面涂胶水,旋涂或者刮涂方式是保证芯片面的胶水面保持平面,方便溅镀镭雕;真空溅镀导电层(镀层可以先镀锡再镀铝或者铜),CAD生成线路图,以精密的镭射雕刻导线连接点,再SMT回流焊使芯片与溅镀层达到共晶,提高导电效率;多层导线可重复以上的步骤便能做到多层导线电路;最终胶水添加荧光粉或者导热分进行封装测试。

本发明技术效果主要体现在以下方面:将LED芯片以共晶的方式固定芯片在导热基板上,以溅镀方式再镭雕出线路,此方式可以提高芯片与基板之间的传热速率散热更好;可用导热基板做COB等高瓦数免焊线工艺;能够在连板的导热基板上(玻璃、金属、陶瓷等)裸板上直接以固晶胶固晶或者共晶;整个工艺流程能够减少光衰,增强光效,降低成本和提高生产效率。

当然,以上只是本发明的典型实例,除此之外,本发明还可以有其它多种具体实施方式,凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本发明要求保护的范围之内。

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