[发明专利]修复光掩模的方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体技术，且特别涉及一种修复光掩模的方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit,IC)工业历经了快速的成长。IC材料与设计的技术进展造就了各个IC世代，每一世代的电路都比前世代来得更小更为复杂。在IC进展课题中，功能密度(即，单位芯片面积的内连装置数量)普遍增加，而几何尺寸(即，所使用的工艺能形成的最小部件(或线))则缩小。上述尺寸微缩工艺因生产效率的增加及相关成本的降低而有所助益。而上述尺寸微缩亦已增加IC加工及制造的复杂度，而因应这些进展，IC制造及加工需要类似的演进。在关于微影图案化的一范例中，用于微影工艺中的光掩模(或掩模)具有一电路图案定义于其上且会转移至晶片。光掩模上的图案需要更加精确，且对于先进技术节点中小特征部件尺寸而言，微影图案化对于光掩模缺陷会更加敏感。因此，会修复光掩模以排除缺陷，并进一步检查以确认修复的缺陷。

发明内容

根据一些实施例，本公开提供一种修复光掩模的方法。上述方法包括接收一光掩模，其包括一图案化特征部件及一缺陷。图案化特征部件产生一相移且具有一透光率。通过形成一修复特征部件来修复缺陷。修复特征部件产生上述相移且具有上述透光率。

根据一些实施例，本公开提供一种修复光掩模的方法。上述方法包括接收一光掩模，其包括一图案化特征部件。图案化特征部件产生一相移且具有一透光率。辨识光掩模上的一缺陷区。形成一修复特征部件于光掩模上的缺陷区上方。形成修复特征部件包括形成一第一图案化材料层于缺陷区上方以及形成一第二图案化材料层于第一图案化材料层上方，以形成修复特征部件。修复特征部件产生上述相移且具有上述透光率。

根据一些实施例，本公开提供一种相移光掩模(phase shift mask,PSM)实施例，用以制造一集成电路。相移光掩模(PSM)包括：一透明基底；一原始特征部件，其具有一参考复合折射率及一参考厚度(t_ref)；以及一修复特征部件，包括一第一层，其具有一第一复合折射率及一第一厚度(t₁)。选定的第一厚度，造成修复特征部件的相移及透光率分别相同于原始特征部件的相移及透光率。

附图说明

图1是绘示出根据本发明一或多个实施例的修复光掩模的方法流程图。

图2A是绘示出根据本发明一或多个实施例的具有缺陷的相移光掩模(phase shift mask,PSM)的剖面示意图。

图2B是绘示出根据本发明一或多个实施例的具有修复图案的相移光掩模(PSM)的剖面示意图。

图2C是绘示出根据本发明一或多个实施例的具有修复图案的相移光掩模(PSM)的剖面示意图。

附图标记说明：

100 方法

102、104、106、108、110 操作步骤

200 光掩模

202 基底

203 缺陷

204 (原始)图案

206 (修复)图案/第一层

223 第二层

224 第三层

t₁、t₂、t₃、t_ref 厚度

具体实施方式

可理解的是以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例，以实施本发明的不同特征部件。而以下的公开内容是叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以求简化本公开内容。当然，这些仅为范例说明并非用以限定本发明。举例来说，若是以下的公开内容叙述了将一第一特征部件形成于一第二特征部件之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一特征部件与上述第二特征部件是直接接触的实施例，亦包含了尚可将附加的特征部件形成于上述第一特征部件与上述第二特征部件之间，而使上述第一特征部件与上述第二特征部件可能未直接接触的实施例。另外，本公开内容在各个不同范例中会重复标号及/或文字。重复是为了达到简化及明确目的，而非自行指定所探讨的各个不同实施例及/或配置之间的关系。

图1是绘示出根据本发明一或多个实施例的修复光掩模的方法100的流程图。以下配合参照图1及相关的第2A、2B及2C图说明上述方法100。光掩模修复可实施于制造光掩模的光掩模工厂、用光掩模制造半导体装置于晶片上的厂区、制造空白光掩模的玻璃工厂及/或人和其他位置场所。可以理解的是可在方法100进行之前、期间或之后进行额外的步骤，且可在方法100的额外实施例中取代或排除某些所述及的步骤。