[发明专利]鳍状场效晶体管器件

说明书

技术领域

本发明实施例涉及鳍状场效晶体管器件。

背景技术

由于半导体器件的栅极宽度与沟道长度持续缩减，非平面或三维的场效晶体管结构(field effect transistor structure)，例如具有向上延伸的垂直鳍板的鳍状场效晶体管(fin-type field effect transistor，FinFET)，已被发展用以提高晶体管的操作速度。

发明内容

一种鳍状场效晶体管器件包括衬底、至少一栅极堆叠结构、多个间隔物、源极与漏极区域、介电层、至少一鞘结构以及至少一金属连接结构。至少一栅极堆叠结构配置在衬底上。多个间隔物配置在至少一栅极堆叠结构的侧壁上。源极与漏极区域配置于衬底内，且分设在至少一栅极堆叠结构的相对侧。介电层配置在衬底的上方以及至少一栅极堆叠结构上，其中介电层包括暴露出源极与漏极区域的至少一接触开口。至少一鞘结构配置于至少一接触开口内。至少一金属连接结构配置于至少一鞘结构以及至少一接触开口内，其中至少一金属连接结构连接至源极与漏极区域。

附图说明

根据以下的详细说明并配合附图以了解本发明实施例。应注意的是，根据本产业的一般作业，各种特征并未按照比例绘制。事实上，为了清楚说明，可能任意的放大或缩小器件的尺寸。

图1为依据一些本发明实施例的鳍状场效晶体管器件的剖面示意图。

图2A到图2G为依据一些本发明实施例的鳍状场效晶体管器件的制造方法的各种阶段所形成的鳍状场效晶体管器件的剖面示意图。

图3为依据一些本发明实施例的鳍状场效晶体管器件的制造方法的处理步骤的示例性流程图。

附图标号说明：

10：鳍状场效晶体管器件；

102：衬底；

104：沟道区；

110：栅极堆叠结构；

110a：栅极堆叠结构的顶表面；

112：侧壁；

114：栅极介电条；

116：栅极电极条；

118：硬掩模条；

120：间隔物；

125：源极与漏极区域；

130：介电层；

130a：介电层的顶表面；

131：经图案化的介电层；

131a：经图案化的介电层的顶表面；

132：接触开口；

132b：接触开口的侧壁；

134：黏着层；

135：鞘结构；

140：金属连接结构；

140a：金属连接结构的顶表面；

142：顶盖层；

150：掩模图案；

152：孔洞；

D：顶部尺寸；

P：间距；

S300、S302、S304、S306、S308、S310：步骤。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明实施例。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明实施例。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明实施例可在各个实例中重复参考标号和/或字母。此重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以便于描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而在此使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。