[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610919444.4 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107978553B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘继全 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成介电层,所述介电层中形成有金属种子层，形成所述介电层的步骤包括：
在所述半导体衬底上形成第一介电层；
在所述第一介电层上形成金属种子材料层；
对所述金属种子材料层进行图案化，以形成金属种子层，所述金属种子层定义沟槽或通孔底部位置；
在所述金属种子层及第一介电层上沉积第二介电层；
以所述金属种子层为刻蚀停止层，刻蚀所述第二介电层以在所述第二介电层中形成露出所述金属种子层的沟槽或通孔；
采用选择性原子层沉积法在所述沟槽或通孔的侧壁上形成阻挡层；
在所述沟槽或通孔底部的金属种子层上生长金属层，以完全填充所述沟槽或通孔，所述金属层的生长方法为选择性CVD法，所述选择性CVD法以所述沟槽或通孔底部的金属种子层作为生长表面、以所述沟槽或通孔侧壁的阻挡层作为非生长表面，自下而上生长所述金属层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括进行平坦化处理，使所述金属层表面与介电层表面齐平的步骤。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属种子层为Co、Cu、Al、Ti、W、Ag、Au中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属种子层的厚度为1-10nm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介电层包括SiC、SiOC、SiO2、SiCN、SiOCH、SiN、SiON中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介电层和第二介电层的总厚度为100-400nm。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层为TaN层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述阻挡层生长的先驱物为PDMAT。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层为Co层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述金属层生长的先驱物为CoDCP。
11.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用权利要求1-10之一所述方法制造。
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