[发明专利]像素结构及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201610915034.2 | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN107968103B | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 王徐亮;祝晓钊;甘帅燕;李伟丽 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种像素结构,包括多个重复排列的红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素,其特征在于,各子像素均在行方向上对齐排列;
其中,所述像素结构的其中一半间隔的行上均为红色子像素;
蓝色子像素和绿色子像素位于任意两行红色子像素之间的行;
每个绿色子像素同时位于两个包含同一绿色子像素的相邻的像素单元中;
每个像素单元的红色子像素为单个独占的子像素、或与另一包含同一绿色子像素的相邻的像素单元共用同一红色子像素;
每个像素单元的蓝色子像素为单个独占的子像素、或与另一不包含同一绿色子像素的相邻的像素单元共用同一蓝色子像素。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,对两个包含同一绿色子像素的相邻的像素单元,两个独占的红色子像素采用同一掩膜开口蒸镀形成。
3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,对两个不包含同一绿色子像素的相邻的像素单元,两个独占的蓝色子像素采用同一掩膜开口蒸镀形成。
4.一种像素结构,包括多个重复排列的红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素,其特征在于,各子像素均在列方向上对齐排列;
其中,所述像素结构的其中一半间隔的列上均为红色子像素;
蓝色子像素和绿色子像素位于任意两列红色子像素之间的列;
每个绿色子像素同时位于两个包含同一绿色子像素的相邻的像素单元中;
每个像素单元的红色子像素为单个独占的子像素、或与另一包含同一绿色子像素的相邻的像素单元共用同一红色子像素;
每个像素单元的蓝色子像素为单个独占的子像素、或与另一不包含同一绿色子像素的相邻的像素单元共用同一蓝色子像素。
5.根据权利要求4所述的像素结构,其特征在于,对两个包含同一绿色子像素的相邻的像素单元,两个独占的红色子像素采用同一掩膜开口蒸镀形成。
6.根据权利要求4所述的像素结构,其特征在于,对两个不包含同一绿色子像素的相邻的像素单元,两个独占的蓝色子像素采用同一掩膜开口蒸镀形成。
7.一种像素结构的制造方法,包括:
提供基板;
在所述基板上形成驱动单元;
在所述驱动单元上形成像素层;所述像素层采用如权利要求1或4的像素结构的排列;每个驱动单元驱动一个子像素。
8.根据权利要求7所述的像素结构的制造方法,其特征在于,在形成像素层的步骤中,对两个包含同一绿色子像素的相邻的像素单元,两个独占的红色子像素采用同一掩膜开口蒸镀形成。
9.根据权利要求7所述的像素结构的制造方法,其特征在于,在形成像素层的步骤中,对两个不包含同一绿色子像素的相邻的像素单元,两个独占的蓝色子像素采用同一掩膜开口蒸镀形成。
10.一种显示装置,包括权利要求1~6任一项所述的像素结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的