[发明专利]一种实现光自旋霍尔效应的金属微纳结构有效
申请号: | 201610913662.7 | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN106395732B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 董正高;王英华;李家奇 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人: | 杨晓玲 |
地址: | 211189 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 实现 自旋 霍尔 效应 金属 结构 | ||
1.一种实现光自旋霍尔效应的金属微纳结构,其特征在于,该金属微纳结构包括二氧化硅衬底(1)及连接在二氧化硅衬底上的刻有微纳结构(2)的金属表面(3);微纳结构(2)是刻在金属表面上的空气凹槽;
取金属与空气接触面内椭圆纳米凹槽的圆心为O点,过该点平行于长轴的轴为OX轴,垂直于长轴的轴为OY轴,垂直于XOY面由金属面指向外的方向为OZ轴;
所述的微纳结构(2)为椭圆圆环形空气纳米谐振腔,所述的金属微纳结构沿+45°方向和-45°方向周期性排列。
2.根据权利要求1所述的实现光自旋霍尔效应的金属微纳结构,其特征在于,所述的金属表面由银、铜、铝或者金制成。
3.根据权利要求1所述的实现光自旋霍尔效应的金属微纳结构,其特征在于,所述的微纳结构(2)为椭圆圆环形空气纳米谐振腔,该谐振腔内长轴半径为a,短轴半径为b,长轴方向腔体宽度为g1,短轴方向腔体的宽度为g2。
4.根据权利要求2所述的实现光自旋霍尔效应的金属微纳结构,其特征在于,所述的a=150nm,b=50nm,g1=150nm,g2=100nm。
5.根据权利要求1所述的实现光自旋霍尔效应的金属微纳结构,其特征在于,所述微纳结构的按周期P排列,实现表面等离激元方向性传输,其相邻结构间x,y方向的距离为Px,Py。
6.根据权利要求5所述的实现光自旋霍尔效应的金属微纳结构,其特征在于,P=1343.5nm,Px=Py=950nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610913662.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。