[发明专利]锇膜电阻型原子氧密度传感器芯片的制备方法

权利要求书

1.一种锇膜电阻型原子氧密度传感器芯片的制备方法，包括以下步骤：

(1)将基片、基片固定板、锇膜线掩膜板和电极掩膜板分别依次在丙酮、酒精和去离子水中超声振荡清洗；

(2)将经清洗后的基片固定在清洗后的基片固定板上，将经清洗后的锇膜线掩膜板盖在基片上，通过磁控溅射的方法在基片上沉积一层锇膜线，所述磁控溅射的单位面积功率控制在3.54W/cm²-14.15W/cm²，溅射时间控制在2-6h；

(3)取出锇膜线掩膜板并将经清洗后的电极掩膜板盖在沉积有锇膜线的基片上，通过磁控溅射的方法在锇膜线的两端沉积铜膜或金膜，所述磁控溅射的单位面积功率控制在3.54W/cm²-14.15W/cm²，溅射时间控制在2-6h；

(4)对沉积有锇膜线并且沉积有铜膜或金膜的基片在真空条件下进行低温热处理，所述低温热处理的处理温度控制在200-500℃，保温时间控制在5-15h，然后随炉冷却，即得锇膜电阻型原子氧密度传感器芯片。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，所述磁控溅射的单位面积功率控制在5.31W/cm²-5.66W/cm²，溅射时间控制在3-5h；所述步骤(3)中，所述磁控溅射的单位面积功率控制在4.24W/cm²-4.60W/cm²，溅射时间控制在3-5h；所述步骤(4)中，所述低温热处理的处理温度控制在250-350℃，保温时间控制在9-11h。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述将经清洗后的锇膜线掩膜板盖在基片上具体是指：将经清洗后的锇膜线掩膜板用双面胶粘合在经清洗后的基片上；所述步骤(3)中，所述将经清洗后的电极掩膜板盖在沉积有锇膜线的基片上具体是指：将经清洗后的电极掩膜板用双面胶粘合在沉积有锇膜线的基片上。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述基片为氧化铝陶瓷片或氮化铝陶瓷片，基片的表面粗糙度<0.5μm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，所述锇膜线的厚度在5μm-200μm之间。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，所述铜膜或金膜的厚度在2μm-50μm之间。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述锇膜线掩膜板为不锈钢板，锇膜线掩膜板的厚度为0.3mm，锇膜线掩膜板锇膜线槽的宽度为0.3mm，遮挡条宽度为0.7mm，锇膜线槽单根长度≥10mm，锇膜线槽根数≥24根。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的制备方法，其特征在于：所述电极掩膜板为不锈钢板，电极掩膜板的厚度为0.3mm，电极掩膜板上电极孔的长度为6mm，宽度为5mm，所述电极孔的数量为多个，多个电极孔分布在电极掩膜板的两侧，电极孔与锇膜线掩膜板上锇膜线槽两端的位置相对应。