[发明专利]气体供应单元和基底处理系统

说明书

公开了一种气体供应单元和基底处理系统，所述基底处理系统可以包括：工艺室，在工艺室中执行对基底的工艺；支撑单元，在工艺室中用于支撑基底；气体供应单元，包括具有气体供应孔的气体供应部，并且气体供应孔被构造为将工艺气体供应到基底上；排放单元，被构造为将工艺气体从工艺室排出。气体供应部可以包括设置有气体供应孔的气体供应区域和在气体供应区域与排放单元之间的气体扩散区域。气体扩散区域可以没有气体供应孔。

本专利申请要求于2015年10月30日提交的第10-2015-0151511号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

发明构思涉及一种气体供应单元和一种基底处理系统，具体地，涉及一种被构造为将工艺气体供应到基底上的气体供应单元和一种具有该气体供应单元的基底处理系统。

背景技术

通常，可以通过诸如沉积工艺、光刻工艺和清洗工艺的一些工艺来制造半导体装置。沉积工艺可以用来在基底上形成层，并且其可以包括化学气相沉积(CVD)工艺或原子层沉积(ALD)工艺。

发明内容

发明构思的一些实施例提供了一种被构造为在基底上沉积均匀薄层的基底处理系统。

根据发明构思的一些实施例，一种基底处理系统可以包括：工艺室，在工艺室中执行对基底的工艺；支撑单元，设置在工艺室中以支撑基底；气体供应单元，包括具有气体供应孔的气体供应部，并且气体供应孔被构造为将工艺气体供应到基底上；排放单元，被构造为排放来自工艺室的工艺气体。气体供应部可以被设置为包括设置有气体供应孔的气体供应区域和设置在气体供应区域与排放单元之间的气体扩散区域，气体扩散区域可以没有气体供应孔。

根据发明构思的一些实施例，一种基底处理系统可以包括：工艺室，限定内部空间；支撑单元，在工艺室的内部空间中并且支撑基底；气体供应单元，在工艺室的顶部处，具有气体供应部，气体供应部包括被构造为将工艺气体供应到基底上的气体供应孔；排放单元，被构造为排放来自工艺室的工艺气体。气体供应部可以包括气体供应区域和气体扩散区域，气体供应区域包括气体供应孔延伸穿过的底表面，气体扩散区域包括平坦的、实心的底表面。支撑单元可以构造为使得基底可定位在气体供应部下方并且使气体供应区域在基底的第一部分之上且使气体扩散区域在基底的不同的第二部分之上。

根据发明构思的一些实施例，一种基底处理系统可以包括：工艺室，在所述工艺室中执行对基底的工艺；支撑单元，设置在工艺室中并且被构造为支撑基底；气体供应单元，具有气体供应部，气体供应部被构造为将工艺气体供应到基底上；排放单元，被构造为排放来自工艺室的工艺气体。气体供应部可以包括：气体供应区域，被构造为将工艺气体供应到基底上；气体扩散区域，被构造为提供允许工艺气体在基底上扩散的空间。气体供应区域可以包括隔开的第一气体供应区域和第二气体供应区域。气体扩散区域可以包括：第一气体扩散区域，设置在气体供应区域与排放单元之间；第二气体扩散区域，设置在第一气体供应区域与第二气体供应区域之间。

根据发明构思的一些实施例，一种气体供应单元可以包括气体供应部。气体供应部可以被构造为将气体供应到目标物体。气体供应部可以包括：第一区域，被构造为使气体能够具有第一压力；第二区域，被构造为使气体能够具有比第一压力低的第二压力；第三区域，位于第一区域与第二区域之间。第一区域可以具有用于将气体供应到目标物体的气体供应孔，第三区域具有面对目标物体的平坦表面。

附图说明

通过下面结合附图的简要描述，将更清晰地理解发明构思的示例实施例。附图表示在此描述的非限制性的示例实施例。

图1是示意性示出了根据发明构思的一些实施例的基底处理系统的剖视图。

图2是示出图1的支撑单元的俯视图。

图3A是示出了图1的气体供应单元和排放单元的仰视图。

图3B是图3A的区域A的放大图。