[发明专利]气体供应单元和基底处理系统

权利要求书

1.一种基底处理系统，所述基底处理系统包括：

工艺室，在工艺室中执行对基底的工艺；

支撑单元，位于工艺室中并且被构造为支撑基底；

气体供应单元，包括具有气体供应孔的气体供应部，气体供应孔被构造为将工艺气体供应到基底上；以及

排放单元，被构造为将工艺气体从工艺室排出，

其中，气体供应部包括设置有所述气体供应孔的气体供应区域和位于气体供应区域与排放单元之间的气体扩散区域，

气体扩散区域没有气体供应孔，

排放单元包括凹进区域，凹进区域包括在气体供应单元的外圆周部分周围连续地延伸的第一凹进区域，并且

气体扩散区域位于气体供应区域和第一凹进区域之间。

2.根据权利要求1所述的基底处理系统，其中，所述气体供应部与由支撑单元支撑的基底叠置并且使气体供应区域与基底的一部分叠置且使气体扩散区域与基底的另一部分叠置。

3.根据权利要求1所述的基底处理系统，其中，气体扩散区域具有面对基底的平坦表面。

4.根据权利要求1所述的基底处理系统，其中，气体扩散区域是第一气体扩散区域，其中，气体供应区域包括多个气体供应区域，并且气体扩散区域还包括位于所述多个气体供应区域之间的第二气体扩散区域。

5.根据权利要求1所述的基底处理系统，其中，排放单元包括设置在气体供应单元的外侧的第一排放部和设置在气体供应单元中的第二排放部，其中，所述第二排放部包括形成在气体供应单元的表面上的凹进区域。

6.根据权利要求5所述的基底处理系统，其中，气体供应单元包括：

第一气体供应部，被构造为供应第一气体；以及

第二气体供应部，被构造为供应第二气体，

其中，凹进区域还包括位于第一气体供应部与第二气体供应部之间并且与第一凹进区域连通的第二凹进区域。

7.根据权利要求6所述的基底处理系统，其中，第一凹进区域和第二凹进区域被构造为当气体供应单元将工艺气体供应到基底上时具有比在气体供应区域和气体扩散区域处的压力低的压力。

8.根据权利要求1所述的基底处理系统，其中，气体供应部具有弧形形状并且从气体供应单元的中心部分放射状地向外延伸到气体供应单元的外部部分，

气体供应区域的径向长度大于或等于气体扩散区域的径向长度。

9.根据权利要求1所述的基底处理系统，其中，所述气体供应部具有弧形形状并且从气体供应单元的中心部分放射状地向外延伸到气体供应单元的外部部分，

气体供应区域的径向长度小于气体扩散区域的径向长度。

10.根据权利要求1所述的基底处理系统，其中，气体供应部具有弧形形状并且从气体供应单元的中心部分放射状地向外延伸到气体供应单元的外部部分，

气体供应区域的弧长大于或等于气体扩散区域的弧长。

11.根据权利要求1所述的基底处理系统，其中，所述气体供应部具有弧形形状并且从气体供应单元的中心部分放射状地向外延伸到气体供应单元的外部部分，

气体供应区域的弧长小于气体扩散区域的弧长。