[发明专利]一种透明导电电极的制备方法有效
| 申请号: | 201610785561.6 | 申请日: | 2016-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN107749318B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
| 发明(设计)人: | 陈初群 | 申请(专利权)人: | 苏州绘格光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01B1/02 | 分类号: | H01B1/02;H01B1/04;H01B5/02;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司: | 常州智慧腾达专利代理事务所(普通合伙) 32328 | 代理人: | 曹军 |
| 地址: | 215000 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 透明 导电 电极 制备 方法 | ||
1.一种透明导电电极的制备方法,包括:
1)制备透明导电材料:在透明基材表面形成导电层;
2)对导电层进行电击处理:利用电击组件中电极对设置在透明导电电极加工装置上的透明导电材料的导电层进行电击处理,经电击处理后的导电材料转化为非连续导电区域,从而形成图案化的导电层;
3)获得透明导电电极:对图案化后的导电层进行清洁处理,即得透明导电电极;
所述步骤2)中,电击处理方式为:等离子体中电极放电、放电的特征为流光放电,放电时形成的流光直径在0.001-2mm;
所述步骤2)中,所述电极为由等离子喷枪产生的等离子射流电极;
所述步骤2)中,可利用图案化导电材料置于透明导电材料表面屏蔽电击,图案化导电材料由绝缘材料制成的载带和导电材料制备的图案化屏蔽层构成,所述图案化屏蔽层厚度为0.01-1mm;
所述透明导电材料和所述图案化导电材料设置在所述透明导电电极加工装置上,所述透明导电电极加工装置包括等离子喷枪以及接地辊,所述等离子喷枪设置在所述接地辊的正上方,所述接地辊的相对两侧设置有第一辊组和第二辊组以及设置在所述第一辊组和所述第二辊组之间的第一导向辊和第二导向辊,所述第一辊组包括两个贴合设置的第一辊,所述第二辊组包括两个贴合设置的第二辊,所述第一导向辊和所述第二导向辊设置在所述接地辊的相对两侧且贴合所述接地辊设置,所述透明导电材料和所述图案化导电材料经过所述第一辊组汇合后,经过所述第一导向辊导向后卷绕在所述接地辊上,所述透明导电材料和所述图案化导电材料在所述接地辊上运行一段距离,然后经过所述第二导向辊运行至所述第二辊组,并经过所述第二辊组后分离,所述等离子喷枪对应所述透明导电材料和所述图案化导电材料在所述接地辊上的运行路径设置。
2.如权利要求1所述透明导电电极的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中电击处理是在气体中进行的;所述气体为惰性气体、氮气、二氧化碳、氧气、空气中一种或多种的混和气体或其等离子气体。
3.如权利要求1所述透明导电电极的制备方法,其特征在于,所述透明基材为玻璃、高分子透明薄膜或高分子片材,所述导电层为一维纳米导电材料、二维纳米导电材料、金属网格透明导电材料、透明导电高分子材料和金属氧化物系透明导电材料中一种或几种。
4.如权利要求3所述透明导电电极的制备方法,其特征在于,所述一维纳米导电材料为金属纳米线透明导电材料、碳纳米管透明导电材料、纳米金属带透明导电材料和纳米金属棒透明导电材料。
5.如权利要求4所述透明导电电极的制备方法,其特征在于,所述金属纳米线透明导电材料为纳米银、镍、铜、钯、铂、金、钴、铁合金或单质金属线;所述金属网格透明导电材料中金属网格为银、镍、铜、铝、钯、铂、金、钴、铁合金或单质金属网格;所述二维纳米导电材料为纳米金属薄膜透明导电材料和碳系透明导电材料。
6.如权利要求1所述透明导电电极的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中,电极与导电层之间的距离为0-200mm。
7.如权利要求1所述透明导电电极的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中,电击处理采用1-100Mhz、1-100kv的交流电源、脉冲直流电源或高压静电电源。
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