[发明专利]存储元件的制造方法

权利要求书

1.一种存储元件的制造方法，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有第一区、第二区以及第三区；

于所述第一区的所述衬底上形成第一栅介电层；

于所述第二区与所述第三区的所述衬底上形成第二栅介电层；

于所述衬底上形成第一导体层；

于所述第一导体层上直接形成第一介电层，其中所述第一介电层的材料为氮化硅层，所述第一导体层与所述第一介电层之间不具有任何氧化层；

移除所述第二区的部分所述第一介电层、部分所述第一导体层以及部分所述第二栅介电层，以暴露所述第二区的部分所述衬底的表面；

移除所述第三区的部分所述第一介电层、部分所述第一导体层以及部分所述第二栅介电层，以暴露所述第三区的部分所述衬底的表面，其中在移除所述第二区与所述第三区的部分所述第二栅介电层的步骤中包括：进行一湿式蚀刻制程，以进一步移除部分所述第一导体层以及部分所述第一导体层下方的所述第二栅介电层，使得剩余的所述第一导体层的侧面以及剩余的所述第二栅介电层的侧面形成一凹陷；

于所述第二区的所述衬底上依序形成第三栅介电层与第二导体层；

于所述衬底上依序形成第三导体层与第二介电层；以及

在所述衬底中形成多个隔离结构，其中该些 隔离结构穿过所述第二介电层延伸至所述衬底中。

2.根据权利要求1所述的存储元件的制造方法，其特征在于，所述第一导体层与所述第一介电层直接接触。

3.根据权利要求1所述的存储元件的制造方法，其特征在于，在形成所述第三栅介电层与所述第二导体层时，同时在所述第二区的所述衬底中形成一凹槽，且形成所述多个隔离结构之一的方法包括移除所述凹槽周围的所述衬底、所述第一导体层以及所述凹槽上方的所述第三导体层与所述第二介电层，以形成一沟渠；以及于所述沟渠中填入隔离材料层。

4.根据权利要求1所述的存储元件的制造方法，其特征在于，所述第三区的所述第二栅介电层为穿隧介电层。

5.根据权利要求1所述的存储元件的制造方法，其特征在于，在所述第二区的所述衬底上依序形成所述第三栅介电层与所述第二导体层的步骤中，还包括：

于所述第三区的所述衬底上依序形成所述第三栅介电层与所述第二导体层，其中所述第三区的所述第三栅介电层为穿隧介电层。

6.根据权利要求5所述的存储元件的制造方法，其特征在于，在所述第二区与所述第三区的所述衬底上形成所述第三栅介电层与所述第二导体层时，同时在所述第二区与所述第三区的所述衬底中分别形成两个凹槽，且形成所述多个隔离结构之一的方法包括：移除该些 凹槽周围的所述衬底、所述第一导体层以及该些 凹槽上方的所述第三导体层与所述第二介电层，以分别形成两个沟渠；以及于该些 沟渠中填入隔离材料层。

7.根据权利要求1所述的存储元件的制造方法，其特征在于，在形成所述第一栅介电层之前，还包括：

于所述第三区的所述衬底中形成具有第一导电型的深井区；

于所述深井区上形成具有第二导电型的第一井区；以及

于所述深井区的两侧分别形成具有所述第一导电型的两个高压井区。

8.根据权利要求1所述的存储元件的制造方法，其特征在于，所述第一栅介电层的厚度、所述第二栅介电层的厚度以及所述第三栅介电层的厚度彼此不同。

9.根据权利要求1所述的存储元件的制造方法，其特征在于，所述第一介电层的厚度为10nm至40nm之间。