[发明专利]一种发光二极管显示器结构

权利要求书

1.一种发光二极管显示器结构，该显示器包括一个或以上数量的显示单元，每个显示单元均由若干个像素构成；其特征在于：所述像素由III-V族或II-VI族半导体材料制成，所述的每个像素均包含三个或三个以上的次像素，相邻的次像素之间存在一个蚀刻间隙；所述次像素的直径在200nm~500 um之间，次像素的基本结构包括依次堆叠设置的调色层、N型半导体层、有源发光区、P型半导体层、柔性P电极和柔性基板，还包括与N型半导体层接触的柔性N电极，限定堆叠方向为同时垂直于所述行、列所在平面的方向，所述次像素沿堆叠方向自有源发光区侧向调色层侧出光。

2.据权利要求1所述的发光二极管显示器结构，其特征在于：所述的一个显示单元内同一列的次像素连接在同一个电极A上，限定电极A为柔性N电极或柔性P电极中的一种，一个单元内同一行的次像素连接在同一个电极B上，限定电极B为柔性N电极或柔性P电极中的另一种，并实现行列驱动。

3.根据权利要求1所述的发光二极管显示器结构，其特征在于：所述次像素的直径在200nm~100 um之间。

4.根据权利要求1所述的发光二极管显示器结构，其特征在于：所述次像素的直径在1 um ~100 um之间。

5.根据权利要求1所述的发光二极管显示器结构，其特征在于：所述P型半导体层的厚度为50 nm ～1000 nm，有源发光区的厚度为10 nm～200 nm，N型半导体层的厚度为50 nm～10 um，缓冲层的厚度10 nm～10 um。

6.根据权利要求1所述的发光二极管显示器结构，其特征在于：所述柔性N电极位于N型半导体层与调色层之间。

7.根据权利要求1所述的发光二极管显示器结构，其特征在于：所述次像素还可以优化选择包括辅助层，该辅助层至少包括电子阻挡层、空穴注入层或欧姆接触增强层中的一种，其中，电子阻挡层设置在有源发光区和P型半导体层之间，空穴注入层设置在P型半导体层和柔性P电极之间，欧姆接触增强层设置在柔性P电极与P型半导体层之间。

8.根据权利要求1所述的发光二极管显示器结构，其特征在于：所述次像素中的柔性P电极与柔性基板之间或者各像素中相邻次像素之间的蚀刻间隙内可设置反射层。