[发明专利]无氰化学镀金浴及化学镀金方法

说明书

本发明提供了一种能够在ENIG工序和ENEPIG工序两者的镀金形成中使用的镀金浴。本发明的无氰化学镀金浴为含有水溶性金盐、还原剂和络合剂，不含有氰的化学镀金浴，其特征在于，所述还原剂含有甲酸或其盐，以及肼类。

技术领域

本发明涉及一种无氰化学镀金浴及化学镀金方法。

背景技术

以往，在印刷电路板或电子部件的安装工序中，作为最终表面处理，有在化学镀镍上形成置换型镀金的ENIG(Electroless Nickel Immersion Gold，化学镀镍浸金)工序。该工序可以在焊接中使用。此外，在该ENIG工序后通过实施厚镀金，也可以在引线键合中使用。

另一方面，通过在基底化学镀镍上化学镀钯并形成镀金的ENEPIG(ElectrolessNickel Electroless Palladium Immersion Gold，化学镀镍镀钯浸金)工序也采用上述的最终表面处理。这一工序特别适用于无铅焊接中。此外也适用于引线键合中。

上述ENIG工序和ENEPIG工序，可以根据被镀物的用途进行选择，两者最终都是实施镀金。但是不同的是，在形成该镀金时，相对于前者以离子化倾向大(氧化还原电位低)的镍为基底，后者以离子化倾向小(氧化还原电位高)的钯为基底。由此，至今为止，分别使用适应各种工序的镀金浴。

此外，作为上述镀金浴，以往的有氰镀金浴被广泛使用，但是考虑到氰的毒性，需要寻找非氰化型镀金浴。

例如，作为上述ENEPIG工序中使用的非氰化型镀金浴，专利文献1中公开了，在印刷电路板的导体部分上，依次形成化学镀镍膜、化学镀钯膜和化学镀金膜时，形成所述化学镀金膜所使用的镀金液由含有水溶性金化合物、还原剂和络合剂的水溶液构成，该还原剂为选自甲醛亚硫酸氢类、雕白粉和肼类中的至少一种。此外，专利文献2中公开了，作为能够在化学镀钯膜上用自身催化还原反应直接析出金膜的化学镀金液，以规定浓度含有非氰的亚硫酸金盐、亚硫酸盐、硫代硫酸盐、水溶性聚氨基羧酸、苯并三唑化合物、含硫的氨基酸化合物和对苯二酚的镀液。

但是，根据被镀物的用途，准备各工序用的镀浴和更换镀浴会花费工序数和费用，从操作性和经济性的观点来看不实用。从而需要在ENIG工序和ENEPIG工序形成镀金中均可使用的镀金浴。

进一步地，上述非氰化型镀金浴，与有氰镀金浴相比，存在容易发生镀浴稳定性和镀覆反应性降低的倾向。从而，非氰化型镀金浴期待兼备镀浴稳定性和镀覆反应性的优选特性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5526440号公报

专利文献2：特开2010-180467号公报

发明内容

本发明着眼于上述的技术问题，其目的在于，实现一种在ENIG工序和ENEPIG工序中都可以使用的无氰化学镀金浴，以及使用该化学镀金浴的化学镀金方法。

解决了上述技术问题的本发明的无氰化学镀金浴为，含有水溶性金盐、还原剂和络合剂，而不含有氰的化学镀金浴，其特征在于，所述还原剂含有甲酸或其盐，以及肼类。

所述无氰化学镀金浴，进一步优选含有具有硝基的化合物。

本发明还包括一种化学镀金方法，其特征在于，使用上述的无氰化学镀金浴，在被镀物的表面上实施化学镀金。该化学镀金方法，所述被镀物的表面为镍或镍合金，即，可以为ENIG工序，或者，所述被镀物的表面为钯或钯合金，即，也可以为ENEPIG工序。